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检索条件"主题词=亚微米器件"

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亚微米CMOS结构光学交叉互连电路芯片的设计: 收藏
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引用; 《微电子学》1999年第3期29卷 200-203页; 作者：刘三清温金桃应建华华中理工大学电子科学与技术系; 同单路光接收／发送电路系统相比，采用单片集成的多路交叉互连接收／发送系统可实现大容量信息交换和高度复杂的信息处理。给出了与１０×１０阵列多量子阱（ＭＱＷ）器件芯片倒扣连接的接收／发送交叉互连电路的设计，芯片电路采...; 同单路光接收／发送电路系统相比，采用单片集成的多路交叉互连接收／发送系统可实现大容量信息交换和高度复杂的信息处理。给出了与１０×１０阵列多量子阱（ＭＱＷ）器件芯片倒扣连接的接收／发送交叉互连电路的设计，芯片电路采用０．３５／０．５μｍ设计规则、三层金属布线ＣＭＯＳ结构，在２ｍｍ×２ｍｍ芯片上，可完成１６路接收／发送及１６×１６信号交叉互连的功能。; 来源：详细信息评论

Ⅰ线光刻的进展: 收藏
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引用; 《微电子学》1992年第6期22卷 57-58页; 作者：宋湘云; I线波长为365μm。I线光刻具有分辨率高、焦深比g线深、光刻简单和价廉物美等许多优点。0.45的数值孔径透镜和专门设计的光刻胶系统的应用,使I线光刻实现了0.5μm特征尺寸的亚微米光刻,而且曝光量比g线获得的曝光量高得多。; I线波长为365μm。I线光刻具有分辨率高、焦深比g线深、光刻简单和价廉物美等许多优点。0.45的数值孔径透镜和专门设计的光刻胶系统的应用,使I线光刻实现了0.5μm特征尺寸的亚微米光刻,而且曝光量比g线获得的曝光量高得多。; 来源：详细信息评论

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