摘要：用传统固相法制备ZST(氧化锆-氧化锡-氧化钛)系微波陶瓷,研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行研究,实验结果表明:少量掺Bi2O3的ZST系陶瓷材料可把烧结温度降低至1 260℃,微波介电性能较好;掺入量大于2%(质量分数)时,ZST系微波陶瓷在晶界偏析形成了Bi2Ti2O7新相,微波性能下降。用微波介电性能较好的ZST系陶瓷制成的介质振荡器进行测试,其电性能满足设计要求。

摘要：研究优化设计介质振荡器,针对介质振荡器设计中存在复杂的非线性问题,电路调试难度极大且成功率不高。为实现介质振荡器的精确设计,提出采用仿真建模方法,通过仿真对介质振荡器的精确设计进行优化。首先对晶体管非线性模型的介质振荡器进行仿真,在晶体管生产厂家只提供S参数时,为了比较这对晶体管小信号线性模型的介质振荡器进行仿真研究,两种仿真结果吻合一致。同时又与样机实测结果完全吻合。因此它们可以相互补充作为一种通用的设计方法,可以提高介质振荡器设计的准确性和可控性。

摘要：在研究介质振荡器的基础上 ,采用锁相环路控制介质振荡器方法 ,设计了一种高稳定锁相介质振荡器微波源并对设计中的几个主要问题进行了详细描述 ,通过对其相关性能测验 ,证明该高稳定锁相介质振荡器微波源是一种具有时频计量标准精度的微波源 ,填补了该领域国内空白 。

摘要：本文介绍了一种工作于Ku波段高端的低相噪、抗过载介质振荡器的设计,该介质振荡器通过力学分析联合场分析对谐振腔体进行综合优化,设计出高Q值、高机械强度的谐振腔,使得振荡器在RMS=10.65g且没有任何减振措施的条件下输出频谱顶端展宽不超过1KHz,相位噪声恶化小于2dBc/Hz@10KHz,且全频带内无杂波;设计创新的U形振荡电路结构,使得振荡电路面积相对于传统振荡电路减小50%、相位噪声优化10dB,在-55℃至+85℃的范围内相位噪声优于-87dBc/Hz@10kHz。

摘要：针对X波段串联和并联两种结构的反馈式介质振荡器(DRO)进行了较深入的研究,并介绍了一种通用的介质振荡器设计方法,设计、实现了这两种反馈式介质振荡器,实验表明该设计方法简单可行。首先运用电磁感应理论简要介绍介质谐振器应用于微波电路的基本原理,阐述了影响介质振荡器相位噪声、稳定度等性能的关键因素,并分别运用负阻和反馈理论对串联和并联两种反馈式介质振荡器的拓扑结构进行了详尽的分析。然后选用相同的介质谐振器和有源器件,运用仿真软件HFSS和ADS设计这两种结构的振荡器,并结合设计过程详细地介绍了设计方法,最后分析仿真结果和实测数据,总结了串、并联反馈式振荡器各自的特点。

摘要：利用负阻振荡的工作原理,使用ADS和HFSS仿真软件对K波段介质振荡器进行了仿真设计,加工并进行了测试,同时设计了一个双工器,使基波和谐波分别从两个端口输出。通过实测结果可以看出,双工器很好地起到了隔离作用。介绍了介质振荡器设计的重点,阐述了双工器的工作原理,分析了介质谐振器和微带线耦合的等效电路,最后给出了介质振荡器(DRO)的实测结果:在基波输出端口,输出功率为6.75 dBm,二次谐波抑制度为23 dBc,相位噪声为-96.28 dBc/Hz@100 kHz;在谐波输出端口,输出功率为1.86 dBm,基波抑制度为23 dBc,相位噪声为-87.65 dBc/Hz@100 kHz,达到很好的分离作用,达到预期效果。

摘要：针对高的相位噪声指标要求,对取样锁相介质振荡器进行了研究。通过相位噪声分析,明晰了采用介质振荡器与取样锁相技术降低相位噪声的机理,并分别对介质振荡器与锁相环路进行了设计。设计中,应用HFSS与ADS对介质振荡器进行了联合仿真,体现了计算机辅助设计的优势。最终研制出17 GHz锁相介质振荡器,测试结果为:输出功率13.1 dBm;杂波抑制>70 dB;谐波抑制>25 dB;相位噪声为-105 dBc/Hz@1 kHz,-106 dBc/Hz@10 kHz,-111 dBc/Hz@100 kHz,-129 dBc/Hz@1 MHz。

摘要：详细介绍了Ｘ波段介质振荡器（ＤＲＯ）的设计方法、实验过程和测试结果。此种高性能ＤＲＯ在控制相位噪声等方面取得一定成绩。

摘要：为了实现微型化相干布局囚禁(CPT)原子钟,需要设计出小体积、低功耗的微波电路。本文介绍了利用介质振荡器(DRO)实现的适合微型CPT原子钟的微波电路,首先利用ADS(Advanced Design System)软件实现了介质振荡器的仿真,然后根据仿真结果设计并实现了振荡器电路,测试结果表明:输出微波频率为3.4GHz、功率为-4dBm、功耗为37mW。

摘要：用Abaqus有限元模态分析法进行微波部、组件结构设计可以提高盒体结构的可靠性和产品的性能。针对一种典型的微波介质振荡器（DRO）产品的模态分析得出其固有频率、振型及应力应变分布,提出产品在进行电路布局时的抗振动优化设计方案。经过结构优化设计的Ku波段DRO在100~1kHz范围、功率谱密度0.08g2/Hz的强振动条件下相噪恶化不超过5dB,输出频谱顶端展宽不超过1kHz,信号频谱无扭曲、杂波,满足了实际工程的需求,提出了结合抗振设计优化电路设计的新思路。