摘要：本文从理论上分析了介质膜对半导体激光器外特性如阈值电流、外量子效率和最大输出功率等的影响。实验研究结果也表明腔镜镀膜技术能有效地改善半导体激光器的输出特性,且工艺简便,较之设计研制新结构容易实现。

摘要：利用介质膜特型矩阵系统讨论了设计增透型介质膜的条件。本文主要从介质膜反射和透射的角度出发 ,利用反射率和透射率的关系 ,运用数学方法详细地讨论了实现介质膜增透的条件。以此理论为依据 ,可对不同介质材料或多层介质薄膜进行分析设计。

摘要：本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并与理论结果作了比较,二者附合得很好。这种器件可以发展成兼具调制、开关、双稳复合功能的反射式集成器件。

摘要：传统上厚膜电容的制备由于采用了丝网技术、烧结工艺、有限的匹配温度特性材料,使得要实现高容量、低损耗、高频性就必须同时改变材料的成分、制备工艺和技术,这是无法同时达到的。而采用激光微细熔覆快速原型制造技术,不需要高温烧结和掩模的制备,在不改变电极膜特性的情况下直接制备了适应高容量、低损耗和高频应用的介质膜。同时,消除了原有技术通过多次印刷和增加厚度来减少针孔的弊端,以及高温烧结带来的电极材料和介质材料成分的扩散,利用CAD/CAM系统可灵活地制备所设计的图形和尺寸,实现了元件小型化、轻薄化的制造。

摘要：利用介质膜特性矩阵和涅耳公式对反射型 1/ 4波片的主要参数进行计算 。

摘要：相比透射型组合滤波器件,提出了只需要由一种反射元件构成的反射型组合滤波器件的光路。在保证角谱选择性的前提下,降低了设计和制备的难度。另外,通过膜系设计和电场强度比较,发现此反射型组合器件具有比透射型组合器件更高的抗激光损伤阈值(LIDT)。因此,为反射型介质膜组合滤波器件的制备和应用奠下了基础,具有重要的指导意义。

摘要：针对单光子探测芯片中超导Nb膜减反的问题,研究了磁控溅射Nb膜折射率光谱特性随Nb膜厚度变化的规律,同时研究了化学气相沉积法制备的Si O2和Si Nx介质膜的折射率光谱特性。为降低超导Nb膜对633 nm光的反射比,在Nb膜表面设计和制备了Si O2和Si Nx减反膜。测试结果表明:Si O2和Si Nx使反射比明显减小,计算结果验证了这一趋势。

摘要：文章介绍了一种能测试介质膜厚度的电路，该电路是根据同步相干检测原理设计的。

摘要：本文叙述了一种辐射蓝绿光的交流等离子体显示板的结构和原理。文中对充入气体的成分进行研究，器件中充入Ａｒ－Ｈｇ混合物，并对需用的汞量进行计算，以保证有足够的汞蒸汽。为了克服器件的温度效应，设计了薄膜加热电极。研制成功一种新型薄膜介质，具有蒸发速率高及同基板附着力强等优点，在这种介质层上蒸涂ＭｇＯ保护层，可使器件寿命增长，连续工作１．３×１０４ｈ参数无任何变化。

摘要：本文介绍了介质簿膜测量中电调场效应振荡器扫频源简单原理,着重阐述电调场效应振荡器扫频电路设计方法,并对这种扫频源的误差产生进行了分析。