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65nm FPGA中基于选择的高速Block RAM设计
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《复旦学报(自然科学版)》2015年 第1期54卷 85-90,97页
作者:陈丹 王健 张昕睿 来金梅复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 
针对高性能现场可编程门阵列(FPGA)应用中数据存储交换的高速、多种配置需求,本文设计了一种基于数据可调整的高速Block RAM,并将其嵌入自主研发的FPGA芯片中.在该FDP15芯片中,Block RAM采用65nm的1P10M层金属,核电压1.2VCMOS...
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