摘要：大面阵、高分辨率碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器可用于航天遥感、高精度卫星成像等领域,我国下一代气象卫星将全部应用此类图像传感器.然而,空间高能质子会对碲镉汞红外焦平面阵列探测器造成位移损伤效应,同时亦会在其像素单元金属氧化物半导体(MOS)管引入电离总剂量效应.本文以近年来广泛应用于图像传感器的55 nm制造工艺碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器为对象,基于超大面阵设计时所用的2 pixel×2 pixel基本像素单元,构建了Geant4仿真模型,并且进行了不同质子入射注量下的仿真研究,获得了不同注量下的位移损伤情况,包括非电离能量损失、离位原子数等.结果表明,空间高能质子累积注量为10^(13)cm^(–2)时,除了考虑碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器位移损伤效应外,亦需关注其像素单元MOS管电离总剂量效应.与此同时,结合仿真结果对其空间应用环境中的损伤情况进行了初步评估.该研究可为未来超大面阵碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器空间应用提供关键数据支撑.

摘要：简述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)中作为沟道材料的碳纳米管的基本辐射效应原理及其在抗辐射领域的优势,总结了近年来CNTFET在辐射效应机理和加固领域的研究进展。介绍了不同辐射条件在碳纳米管材料和不同结构的CNTFET中诱发的位移损伤效应机理,重点介绍了电介质是影响器件总剂量效应的主要因素,辐射环境也是影响器件辐照后性能变化的重要因素,并针对这两点总结了加固方法及器件和电路的设计,对国内外研究中不同结构的电路的抗辐射能力进行评述。最后介绍了器件受单粒子效应影响的机理,对比了碳基晶体管器件和硅基晶体管器件的抗辐射能力,并展望了CNTFET及其电路的未来太空应用发展。

摘要：未来新型航天器在研制模式、设计技术、元器件及材料等方面与以往卫星相比将有较大变化,从而对抗辐射加固技术提出新的要求。因此,抗辐射加固技术的研究重点须在以往研究基础上进行调整。文章从航天器总体角度,对新型航天器抗辐射加固技术的研究重点进行探讨。

摘要：针对中子对太阳能电池性能的影响,设计研制了GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池试验样品,在西安脉冲反应堆上开展了不同中子注量条件下中子位移损伤试验研究,采用太阳模拟器测试系统对太阳能电池单元最大输出功率、开路电压及短路电流等参数进行了测试。实验结果表明,随着受辐照中子注量逐渐增加,太阳能电池电参数逐渐退化。实验结果与不同少数载流子寿命下太阳能电池I-V曲线仿真结果趋势一致。该研究对认识太阳能电池的中子位移损伤规律和建模仿真研究具有重要意义。