摘要：为实现光栅耦合器与光纤的高效率耦合,基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)超低损耗氮化硅平台,成功设计并开发了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的低损耗、小尺寸氮化硅光栅耦合器。首先对光栅关键参数进行了仿真计算,选择最优参数进行光栅耦合器的设计。然后,基于CUMEC超低损耗氮化硅平台,采用聚焦光栅结构,极大地缩小了光栅耦合器的尺寸,得到的氮化硅聚焦光栅耦合器小线宽结构制备良好。搭建了光学测试系统完成聚焦光栅性能表征,测试结果表明,损耗最优值为4.48 dB,对应波长1548 nm,1 dB带宽大于45 nm。

摘要：SIPOS半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用,其不仅能够提升器件的反向击穿电压,而且也极大地提高了器件的可靠性。文章阐述了SIPOS薄膜的器件钝化机理,工艺过程中各参数对薄膜特性及应用的影响。同时通过实验设计DOE对LPCVD(化学气相沉积)系统的各个参数进行工程实验,分析了相关参数对薄膜沉积速率及特性的影响,并通过对实验结果的模型推导,得出相关工艺参数与产品电学性能之间的关系实验模型,并进一步阐述了工艺稳定性控制的方法,为SIPOS薄膜在工艺的实际工程应用中以及工艺的稳定性控制上提供可靠的技术支持。