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一种基于40 nm CMOS工艺的40 Gbit/s低噪声跨阻放大器
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《微电子学》2020年 第6期50卷 771-776页
作者:刘杨 祁楠 刘力源 刘剑 吴南健中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 
采用40 nm CMOS工艺,设计了一个工作在40 Gbit/s数据速率的高速低噪声跨阻放大器(TIA)。为了同时兼顾噪声和带宽性能,创造性提出了一种多级串联放大器结构。输入级采用基于反相器结构的伪差分放大器,通过增加反馈电来减小输...
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