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具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计: 收藏
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引用; 《电子学报》2009年第5期37卷 1130-1135页; 作者：李演明来新泉贾新章曹玉叶强西安电子科技大学电路CAD研究所陕西西安710071 西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071; 设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器,利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement,TRE)电路,有效地提高了稳压器的瞬态响应速度,而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS...; 设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器,利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement,TRE)电路,有效地提高了稳压器的瞬态响应速度,而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为0.49mm2.该LDO空载下的静态电流仅23μA,最大带载200mA.在1μF输出电容、200mA/100ns负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3.5%.; 来源：详细信息评论

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