摘要：一、引言在正电子直线加速器中,正电子在靶上生成,经过一段匹配段,进入加速管。通常称这根加速管为俘获节。俘获节的加速场梯度如何影响正电子的俘获率,是在加速器设计和运行过程中很感兴趣的一个问题。所谓俘获,指的是,粒子在横向不碰到系统管壁,在纵向聚到一定相位范围,且在俘获节末端的能散度不超过某个限度。这样,正电子在以后的加速过程中,一定相宽内粒子数的多少将决定最终束流能谱的好坏。

摘要：正电子产额是正电子源的一个重要物理量 ,它的高低直接关系到加速器性能的优劣 .此次BEPC(北京正负电子对撞机 )改进 ,要全面升级到BEPCⅡ ,正电子源系统的许多参数都要发生变化 ,必须对系统的各个部件参数重新优化设计 ,从而得到最大产额 .本文采用全新方法 ,将EGS4 (Electron GammaShower)程序包和PARMELA (PhaseandRadialMotioninElectronLinearAccelerator)程序紧密结合起来 ,完成正电子源优化设计工作 .首先使用程序包EGS4 ,对高能电子在介质中的电磁级联过程进行了模拟 ,优化了靶厚度 ,讨论了影响打靶产额的因素 .然后用PARMELA程序 ,接收EGS4的计算结果 ,对正电子在靶后的匹配、聚焦和加速系统中的运动逐个跟踪模拟 ,讨论了俘获节相位的选取 ,得到在正电源出口处的产额 .