摘要：阐述光刻设备中的大型精密设备运输减振需求,设计了基于钢丝绳弹簧并联结构的运输减振方案,可以满足运输过程中冲击<5g减振需求。探讨钢丝绳并联结构的动力学特性,获得不同参数下系统的减振特性,针对运输减振方案中的结构进行强度仿真,给出某设备运输过程的实测结果。

摘要：近几年来微型机电系统 (MEMS)的研究得到了高速的发展 ,而MEMS的工艺基础是微细加工技术。针对电铸 (LIGA)技术所存在的缺点提出了紫外光电铸(UV -LIGA)技术 ,并研制了用于UV -LIGA技术的光刻设备。其中介绍了整机的设计要点、所解决的关键单元技术和实验结果。

摘要：据报道,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST:Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University)设计了一种极紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的1/10,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。

摘要：Twinscan NXT平台在套刻精准和生产效率上有了重要的改进，适合更为先进的光刻工艺，包括双重图形技术。它包含了一个新的平坦的晶圆载物台设计和一个比上几代产品更轻的晶圆载物台，生产效率实现超过30％的提升。另外，新的定位测量系统将套刻精准提高50％。

摘要：设计了用于半导体先进封装光刻设备中的高精度机器视觉对准测量系统,明确了机器视觉对准测量系统工作原理、设计指标及系统设计中需要考虑的关键技术点,同时给出了机器视觉对准测量系统关键零部件的设计,并给出了对准测量系统最终在整机上测得的性能数据。测试结果表明,所设计的机器视觉对准测量系统完全可以满足集成电路先进封装工艺需求。

摘要：光刻技术,顾名思义就是一种用光刻印的技术,它广泛应用于半导体制造行业以及许多其他纳米技术应用中;为适应当今微电子产品日趋微型化的趋势,相关应用领域越来越需要具备高生产能力的光刻设备,,本文主要探讨了位置反馈技术在现代光刻工艺中的应用,以及最新光栅系统和传统激光尺系统各自的优势与潜能,这些特性为机器设计人员提供了极大的灵活性,使其能够探索如何在不影响性能的前提下最大程度地减少光刻设备的占地面积.

摘要：全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML近期披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产,与此同时,极紫外(EUV)光刻设备也进展顺利,将在今年交付两套新的系统。

摘要：在晶圆键合光刻设备领域领先的EVG近日在SEMICON China 2005展出了其最新的EVG6200 Infinity掩模对准曝光机，该机可以在近距离对很厚的整个阻光层近距离曝光，是针对先进的封装市场而设计的，它可以通过升级安装底部显微镜，用于MEMS的双面曝光。在市场上所有200mm掩模对准曝光机中，这种新的曝光机是而积最小、产量最高的，光刻间隙的设定也是最精确的。

摘要：微电子技术的不断发展,对光刻设备精度的要求越来越高,特别是在一些特殊器件的制作领域,要求基片多次曝光后必须达到较高的套刻精度。目前国内外有多种比较成熟的对准技术来满足这一要求,其中底面对准技术作为非常有效的一种而倍受青睐。根据底面对准曝光基本原理,论述了底面对准系统的设计与实现,分析了该系统各个功能块,并详细地介绍了图像处理技术在底面对准中的应用。实测表明,在底面对准曝光机中,该系统运行状况良好。