摘要：对多记录层光学存储技术进行了详细的论述。提出了采用探测反射率来实现三维光学存储的新方案。研究可擦重写存储介质的特性。为系统的实现提供了较为完善的设计思路。为实现三维光学存储奠定了坚实的基础。

摘要：法国昂热大学的卡拉曼利斯·伊利奥普洛斯和同事设计出了一种新的非线性光学（NLO）香豆素类聚合物。他们解释道，在不同波长光的照射下，这种聚合物能可转化为二聚物（由两个相同的小分子组成的大分子，可能具有单一小分子没有的性质或功能）。波长大于300纳米的光波会产生二聚物；而波长小于280纳米的光波则会将二聚物分离成两个独立的分子。由于每类分子都带电，并且分子结构也不相同，因此，使用光学方法控制这个可逆转过程便可对数据进行写入、读出、删除、修改等操作。

摘要：四苯基乙烯基团由于其独特的光学性能和空间结构而备受关注。随着研究的不断深入,研究人员将其引入光学存储、形变存储和电学存储等领域,进一步探究物质结构与材料性能的关系。本文简要介绍含有四苯基乙烯基团的分子在三大存储领域的研究进展,为后续的相关研究提供借鉴。

摘要：一、引言基于硅材料和无机材料的存储技术正在接近它们的逻辑极限,因此记录密度的提高变得越来越困难。许多研究团队把利用基因工程中的光敏蛋白质来设计存储设备作为研究热点。日本Testuro Majima团队研发了一种用于代替当前的磁记录介质和光存储介质的新型蛋白质存储设备。

摘要：Y99-61507-1605 9915406高密度光盘的 Volterra 模型=A Volterra model for thehigh density optical disc[会,英]/Agarossi,L.& Canel-la.A.//1998 IEEE International Conference on Acous-tics,Speech and Signal Processing,Vol.3 of 6:DigitalSignal Processing.—1605～1608(HG)9915407基于反射率探测的多记录层相变可擦重写光学存储技术[刊]/胡磊力//电光与控制.—1999,(2).—24～31(V)对多记录层光学存储技术进行了详细的论述。提出了采用探测反射率来实现三维光学存储的新方案。研究相变可擦重写存储介质的特性。为系统的实现提供了较为完善的设计思路。为实现三维光学存储奠定了坚实的基础。