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检索条件"主题词=光接收机前端"
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基于45 nm SOI CMOS的56 Gbit/s PAM-4光接收机前端设计
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《微电子学与计算2024年 第1期41卷 106-112页
作者:张文嘉 林福江中国科学技术大学微电子学院安徽合肥230027 
光接收电路设计中,光电二极管的寄生电容以及大的输入电阻会导致接收机带宽下降,造成严重的符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)。噪声性能是高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)最重要的指标之一,跨阻值决定系统的...
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56 Gbit/s PAM4 CMOS光接收机前端电路设计
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《微电子学》2022年 第1期52卷 52-57页
作者:张宇 张长春 姚俊杰 袁丰南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院南京210023 
基于65 nm CMOS工艺设计了一种56 Gbit/s PAM4光接收机前端放大电路。前级为差分形式的跨阻放大器,采用共栅前馈型结构降低输入阻抗,并在输入端串联电感,有效提高了跨阻放大器的带宽和灵敏度。后级放大器采用具有线性增益控制的多级级...
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高性能pin/HBT集成光接收机前端设计
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《半导体光电》2003年 第4期24卷 248-250页
作者:崇英哲 黄辉 王兴妍 王琦 黄永清 任晓敏北京邮电大学光通信中心北京100876 
 分析了pin/HBTOEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式。分析表明,这种集成方式的光接收机前端具有高速、高灵敏度的特性,在高速光通信系统(...
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短波长OEIC光接收机前端设计及制作
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《微电子学》2008年 第5期38卷 713-717页
作者:范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带...
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25~28 Gbit/s CMOS高灵敏度光接收机电路设计
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《微电子学》2023年 第4期53卷 581-587页
作者:金高哲 张长春 袁丰 张瑛 张翼南京邮电大学集成电路科学与工程学院南京210023 东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 
基于65 nm CMOS工艺设计了一种25~28 Gbit/s具有自适应均衡和时钟数据恢复功能的光接收机电路。光接收前端采用低带宽设计,以优化接收机的灵敏度;采用判决反馈均衡器,以恢复低带宽前端引入的码间干扰。为了适应不同速率和工艺角引入的...
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一种基于90 nm SiGe BiCMOS工艺的4×112 Gbit/s PAM-4跨阻放大器
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《微电子学》2023年 第2期53卷 215-220页
作者:陈哲厦门优迅高速芯片有限公司福建厦门361012 厦门市光通信电芯片设计及验证重点实验室福建厦门361012 
基于90 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高速(4×112 Gbit/s)四阶脉冲幅度调制跨阻放大器电路。为了兼顾高带宽和低噪声,采用了并联反馈架构的输入级电路。提出一种新颖的基于双吉尔伯特单元的可变增益放大器结构来适应宽动态范围的...
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