摘要：介绍了新型光控晶闸管(LTT)内部集成的一项非常重要的电气功能,即正向过电压自保护功能。通过在LTT光敏区内集成转折二极管(BOD),实现LTT正向过电压自保护功能。如果集成BOD转折电压太高,则不能有效保护晶闸管;如果集成BOD转折电压太低,则达不到LTT设计的阻断电压要求。这里通过计算机仿真技术和工艺实验验证的方法,成功揭示了LTT内部集成的正向过电压结构机理与硅单晶材料电阻率、PN结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计和制造了LTT内部的转折电压,成功研制了5英寸3125 A/7600 V特高压LTT,并成功应用于"云南-广东±800 kV/5000 MW"特高压直流输电工程。

摘要：本文介绍一种高灵敏度光触发晶闸管的结构特点及关键的生产工艺,并对该器件进行了理论分析和主要参数的计算机辅助设计,提出了带有薄n层的台阶形光敏门极结构可使器件获得较高的光触发灵敏度和较好的触发灵敏度与dv/dt耐量间的协调关系。研制成功的直径为45mm、容量为500A、耐压为2000V的器件的最小光触发功率小于3mW,dv/dt耐量大于1000V/μs,di/dt耐量大于100A/μs通态峰值压降小于2V。

摘要：设计制造了5英寸7.5kV光控晶闸管。采用中心对称P型变掺杂技术设计制造光敏区时,在从中心到阴极边界的区域内集成化引入了过电压及电压高上升率保护性触发功能,以及径向开通电流密度控制功能。该晶闸管在正向断态电压或其上升率超过安全限时,能自动进入安全的门极触发开通过程,使器件免受过电压击穿或局部dV/dt开通损毁。满足±800kV特高压直流输电(Ultra High Voltage DC,简称UHVDC)系统电路简化、可靠性高、稳定性高的应用要求。

摘要：本文详细分析了光控晶闸管设计原理。通过对特殊的门极结构和工艺设计,成功研制了在器件内部集成了光触发功能区、内部过压保护器、内置保护电阻,使其具有正向恢复保护和dv/dt保护功能的5英寸3125A/7600V光控晶闸管。该晶闸管技术参数达到了国外同等水平。已成功应用到我国的"云-广±800KV/5000MW"特高压直流输电(UHVDC)工程中。

摘要：为了适应高压直流输电和反并系统中电力变流器的需要,三菱电子公司开发了152.4mm硅片8 kV/3.6 kA光控晶闸管(LTT)。这种新设计的器件比以前101.6 mmLTT功率控制容量增加了1倍,同时缓和器件容量增大而出现各种问题。

摘要：为改善电网质量,本公司选用"直挂66 k V静止型动态无功补偿装置(SVC)"。该装置水冷阀组部分,采用了国际技术先进的光控晶闸管,真正实现了控制柜与阀组间全光纤连接,阀组中无电路触发板等,确保高压环境安全可靠。同时为保护66 k V光控水冷阀组工作更加稳定,还设计了各种保护功能。依据无功补偿装置电气设计原理,阐述了阀组保护设计原理,阀组特点是集光控晶闸管、激光触发方式和脉冲触发光纤分配装置为一体的阀组;分析了阀组的过电流保护、欠电压保护、回报状态显示、RC阻容保护、BOD保护、水冷系统保护以及阀组结构性保护;论证了66 k V光控水冷阀组保护的必要性;通过对无功补偿情况和效益情况的对比分析,验证了应用SVC装置的正确性。

摘要：介绍了一种光控晶闸管放电开关,作为0.75 MJ电容型电源模块的主放电开关,它由6只国产大功率光控晶闸管串联组成,配有均压保护电路和触发单元,最高阻断电压为45 kV,最大放电电流为55.3 kA。该放电开关已成功应用于生产,各项技术指标均达到设计要求。

摘要：为了实现66kV及以上高压无功补偿,设计开发了带有触发箱的66kV光控水冷阀组。带有触发箱的66kV光控水冷阀组主要应用在电力、冶金领域,可用于66kV及以上电压等级的静止无功补偿(Static Var Compensation,SVC)装置中,应用前景广阔。以辽宁省抚顺市66kV变电站为例,对阀组中触发箱、晶闸管单元、RC阻容单元、回报单元及水冷单元的设计做了详细的分析和介绍,论证了采用带触发箱的66kV光控水冷阀组的必要性和优点。

摘要：英飞凌科技在其经济高效并可扩展的XC800微控制器（MCU）技术平台上推出两个全新器件系列——XC82x和XC83X，经过专门设计可进一步降低系统成本并改进多种工业产品能效。