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光泵浦低阈值聚合物激
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《发学报》2019年 第11期40卷 1434-1438页
作者:林杰 刘星元 曲松楠发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院大学北京100049 
高阈值是实现直接电驱动聚合物激器的主要障碍。本文采用性能优异的蓝材料-聚芴(PFO)作为激增益介质,根据腔量子电动力学原理,设计出结构合理的平面学微腔,通过减薄聚合物层厚度的方法进一步降低有源层材料自吸收;采用两种不同...
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光泵浦半导体激器的发展及应用
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机电信息》2010年 第5期27卷 1-8页
作者:胡永生 
光泵浦半导体激器(OPSLs)于2001年被提出,其在功率扩展性和稳定性、波长可选性、可靠性以及束质量等方面具有独特优势,并迅速在流式细胞术、共聚焦显微镜、测序分析、医学诊断和治疗、半导体检测、图形艺术、法医学、计量学等领...
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光泵浦半导体垂直外腔面发射激器的倍频研究
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《中国西部科技》2013年 第3期12卷 4-6页
作者:王定举 徐向涛 张鹏 戴特力 梁一平重庆师范大学物理与电子工程学院重庆400047 重庆师范大学重庆市高校光学工程重点实验室重庆400047 
光泵浦半导体垂直外腔面发射激器(OPS-VECSEL)是一种新型的半导体激器,在很多领域有着广阔的应用前景。其外腔结构更容易实现高功率、高束质量的倍频。本文分析了光泵浦垂直外腔面发射半导体激器的器件结构;研究了VECSEL的倍频...
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矢量泵磁强计中的研究及应用
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《中国激2024年 第18期51卷 153-168页
作者:孟小勤 童叶 徐燕 柴真北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院教育部极弱磁场测量技术重点实验室北京100191 北京航空航天大学大科学装置研究院与零磁科学中心北京100191 杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院浙江杭州310051 北京航空航天大学杭州创新研究院浙江杭州310052 合肥国家实验室安徽合肥230088 
泵磁强计是一种基于与原子相互作用的磁场精密测量装置。本文首先介绍了泵磁强计的发展历程以及工作原理。基于光泵浦技术可使特定频率的偏振照射到碱金属原子气室中,使碱金属原子发生能级跃迁,从而实现对原子自旋的极化。接着...
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高精细度学微腔中原子内态的高效制备和优化
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《中国激2020年 第8期47卷 278-283页
作者:韩星 杨鹏飞 葛瑞芳 贺海 李刚 张鹏飞 张天才山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室山西太原030006 山西大学极端光学协同创新中心山西太原030006 
高精细度学微腔是强耦合腔量子电动力学(QED)实验系统的核心。然而,受限于学微腔有限的介入空间,被学腔俘获的原子内态很难得到有效的初始化处理。通过选用与原子基态及更高阶激发态相互作用的场,有效避免了微腔腔镜对介入空间...
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面向双气室铯泵磁力仪的VCSEL稳频研究
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《激杂志》2024年 第4期45卷 26-34页
作者:张弛 李绍良 赵擎阳 舒适 吴招才 刘华上海交通大学电子信息与电气工程学院上海200240 上海航天控制技术研究所上海惯性工程技术研究中心上海201109 自然资源部第二海洋研究所杭州310012 
在地磁场测量领域中,自激振荡式碱金属原子泵磁力仪因为快速响应与高精度成为一项重要技术。其中自激式双气室泵磁力仪无需考虑移相电路带来的信号误差,电路简单。使用垂直腔面发射激器作为泵浦源有效降低了磁力仪功耗和体积。...
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寿命观测系统的设计
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机电信息》2008年 第6期25卷 39-43页
作者:李佳宇 赵振明 邓岩长春理工大学光电工程学院吉林长春130022 
本文介绍了一种测量荧寿命的新方法:利用荧衰减曲线和RC电路衰减曲线合成李萨如图形来测量固体荧材料的荧寿命。文中阐述了荧寿命的测试原理,对激励源、供电的脉冲电源和电转换器进行了分析,用所设计的荧寿命观测系统...
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基于光泵浦-宽谱太赫兹时域谱方法的少层MoTe_(2)薄膜电特性研究
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学与电技术》2022年 第4期20卷 89-95页
作者:张淼淼 王新柯 韩鹏 孙文峰 叶佳声 冯胜飞 张岩首都师范大学物理系超材料与器件北京市重点实验室北京100048 
层状二维过渡金属硫属化合物是一类重要的二维层状半导体材料。其中MoTe_(2)因其具有较小的禁带宽度和较高的载流子迁移率而备受关注。应用光泵浦-宽谱太赫兹时域谱系统研究了少层MoTe_(2)薄膜材料的宽谱太赫兹透射谱、生载流子在...
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基于外腔面发射激器的激原理与技术实验研究
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《大学物理》2022年 第8期41卷 42-46页
作者:盖磊中国海洋大学物理与光电工程学院山东青岛266100 
本文通过构建包括泵浦源、准直聚焦系统、增益芯片、耦合输出镜、倍频晶体和标准具等在内的积木式实验器件,建立了基于外腔面发射激器的激原理与技术的综合实验,实现了激基本原理、频率变化技术、波长调谐技术等实验内容.本实...
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《电子科技文摘》2002年 第4期 15-15页
0205965高斯束传输理论在半导体激器耦合中的应用[刊]/毛虎//半导体电.—2001,22(5).—359~361(K)在 TO 封装激器生产过程中,激器和纤在耦合时耦合功率与耦合位置呈现一定的关系。针对该过程中出现的这一现象,利用高斯传...
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