摘要：项目通过氧化锌晶体基片研制、Ⅱ族氧化物半导体外延薄膜的表面界面工程、外延生长与极化效应研究、杂质调控、以及新型激光微腔设计，最终实现基于Ⅱ族氧化物半导体的低阈值激光器件和紫外光电探测器件。项目已经能够生长出50mm直径ZnO单晶基片，位错密度低于450／cm^2，Li、K等杂质比水热法商品基片低一个数量级以上。

摘要：在CCD像元内集成了由重掺杂PN结组成的APD结构,使CCD的像元具备了雪崩倍增功能。CCD实现像元级倍增,可使探测信号从探测器的探测端被增大,可提高探测器的探测灵敏度。进行了像元结构仿真、工艺仿真、像元倍增结构设计等工作,设计了512(V)×512(H)阵列规模的像元级倍增CCD,开展了工艺流片、工艺优化、封装测试等工作,验证了CCD的像元倍增功能。

摘要：本文根据光点扫描测量技术，提出一种新型的激光数字化光学探头，它是利用小型半导体激光器和高分辨率光电探测器件ＣＣＤ设计而成的。它可对自由模具表面进行快速的、非接触的、精密的测量，提取三维ＮＣ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌｃｏｎｔｒｏｌ）数据。其光学系统设计使用了针对特殊光路编写的光学ＣＡＤ软件。

摘要：主要介绍作为 MAMA器件的关键组成部分高密度矩阵阳极的编码原理和方式 ,着重阐述 2 56× 2 56型矩阵阳极组件的设计。

摘要：激光测向技术是利用光电探测器接收激光信号,根据探测器光敏面对目标像光斑中心位置的偏差,解算出角度偏差量,进而得到目标的方位信息。激光测向技术具有测向范围大、电路设计灵活、测向精度高等特点,因而得到广泛的应用。光电探测器件是激光测向技术的核心器件,介绍了三种主要的探测器件,论述了它们的工作原理和特点,通过比较得出QD具有更多优点,是较为理想的精密测向器件,更适合于高精度动态目标的跟踪测量。

摘要：作为核心检测器件,光电倍增管(PMT)被广泛用于化学发光免疫分析仪中,具有噪声低、灵敏度高、线性范围宽的特点,其是否能够正常工作决定了检测结果的准确性。该研究根据化学发光免疫分析仪的原理和技术特性,设计了一款PMT校验装置,用于测试PMT功能是否正常,该校验装置不影响PMT作为探测器件正常的检测功能,线性好,可有效检测PMT的性能;此外,其可在化学发光免疫分析仪每次使用前对PMT进行线性度检测,评估PMT功能是否正常,并对PMT失效进行警示,有效提高了仪器的可靠性。

摘要：系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象．在对这些实验现象综合分析的基础之上，提出了一种由一横向ＰＮＰＮ四重结构与一纵向ＮＰＮ管相互作用所产生的负阻效应的新模型．利用负阻峰域载流子特殊的输运机制，设计和研制出了上升、下降时间均为２ｎｓ左右，内部电流增益大于３０倍的硅光电探测单元器件．