摘要：本文通过能带工程设计并构筑基于全无机CsPbBr;钙钛矿纳米晶体与二维非层状硒硫化镉异质结的高性能光电探测器.异质结光电探测器展现出超高的明暗电流比值、高的响应度和大的探测率.通过稳态荧光光谱、时间分辨荧光光谱及开尔文探针显微镜等表征手段研究了异质结界面处的载流子传输动力学和传输机制.异质结光电探测器性能的增强归因于钙钛矿纳米晶体与二维非层状硒硫化镉之间有效的载流子传输能力.

摘要：基于视网膜特有的细胞排布方式,并利用CMOS图像传感器工艺,设计并制造了一种仿视网膜的光电探测器。为降低像素尺寸因素引起的图像非均匀性,光电探测器采用7T对数像素结构。测试结果显示该光电探测器具有良好的成像效果。

摘要：二维材料因其独特的物理结构和优异的光电特性,吸引了众多学者的研究兴趣,并在新型光电探测领域显示出了巨大的应用前景.目前研究的二维材料光电探测器多为光子型光电探测器,其光电探测过程涉及光到电的直接转换.如何充分利用光电转换机理,在器件性能和功能方面发挥二维材料的优势,是其在光电探测领域走向实际应用的关键.结合本课题组近年来的研究工作,以光子型光电探测器的基本光电转换机理为主线,将近年来二维材料光子型光电探测器在参数性能的提升、光电转换机理的拓展和器件功能的设计等方面进行了总结,并最后对二维材料光电探测器面临的挑战和可能的发展方向进行了展望.

摘要：在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。

摘要：提出了一种光电探测器设计平台,它基于VB工具,在PC机基础上整合了光电探测器光谱灵敏度测试系统与滤色片组匹配设计系统,具有对光电池光谱灵敏度、有色玻璃的光谱透过率、滤色片组与光电池构成的光电探测器的光谱灵敏度等参数的测试功能,可对光电探测器滤色片(组)进行设计,提供了光电探测器设计与测试的一体化平台。

摘要：用Atlas软件对单向载流子传输光电探测器(uni-traveling-carrier photodetector,UTC-PD)进行了模拟,研究了器件的基本工作原理,着重讨论了器件性能与外延层结构的关系.设计出的UTC-PD可同时具有高的响应度(≥0.18A/W)和宽的3dB带宽(≥100GHz).与传统的pin光电探测器相比简化了前端电路结构,降低了噪声,节约了成本,可以应用于超高速光互联.

摘要：介绍了单片集成硅光接收器的研究背景,阐述了硅光电探测器的工作机理。设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器,并用Silvaco软件对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流分别进行了模拟,对模拟结果进行了分析。设计了该光电探测器的版图,给出了其主要工艺流程,搭建了其光响应谱测试电路。最后对研究结果进行了总结。

摘要：设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构。在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSbQWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/SiQWS组成。器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层。计算表明,在设计的工作波长2.4mm,器件可以获得大约(91～88)%的量子效率。在2～2.9mm波长范围器件的量子效率有两个峰,这使得器件可以作为双色探测器来工作。

摘要：宽谱光电探测器旨在获取目标发射或反射的紫外、可见光、红外等各个波段的电磁波信息,用以在各种环境下准确地识别和分析目标,在成像、医学诊断、遥感、夜视、环境监测、人工智能等领域有广泛应用。本文将MoS_(2)的高效宽谱光吸收特性与RGO的高效输运特性相结合,设计并制备了悬浮型MoS_(2)-RGO-MoS_(2)光电探测器。MoS_(2)-RGO-MoS_(2)的独特结构,既能利用上表面的MoS_(2)吸收入射光,又能利用下表面的MoS_(2)吸收透射光,实现了两次光吸收,提高了探测器的响应率。MoS_(2)-RGO-MoS_(2)光电探测器和RGO光电探测器的对比研究发现,从紫外(375 nm)至近红外(1550 nm)的宽光谱范围内,MoS_(2)-RGO-MoS_(2)光电探测器的响应率均明显高于RGO光电探测器,最高可达1006 mA/W,对探测器的实际应用具有重要意义。

摘要：设计研制了一种集成光电探测器系统，它将光电二极管阵列及信号读出电路集成在同一硅芯片上。