摘要：硫化锑铜(CuSbS_(2))是一种p型半导体,带隙为1.5 eV,同时拥有较大的光吸收系数(>105cm-1),因此在光电催化领域拥有广阔的应用前景.但是目前国内外的研究还缺乏对CuSbS_(2)电子结构以及其如何影响PEC性能的深入理解.为了进一步改善CuSbS_(2)的PEC性能,对其电子结构进行一系列表征分析是非常重要的.本文中,我们利用同步辐射技术揭示了CuSbS_(2)的电子结构.结果表明,CuSbS_(2)的价带(VB)由S 3p和Cu 3d的强杂交态组成,同时Sb 5p/5s也有部分影响.基于以上理论指导,我们设计了一种高质量Cu Sb S_(2)薄膜的制备技术,并使用FTO/CuSbS_(2)/CdS/Pt光电阴极在0.0 V下实现了CuSbS_(2)基材料的高光电流密度(6.3 mA cm^(-2)).

摘要：采用金属辅助化学刻蚀法和水热法制备了Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合光催化剂,考察了Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr在磁场作用下的光催化性能。结果表明:Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合光催化剂在未使用HNO_(3)溶液浸泡且无磁场作用时的光电流密度为0.25 mA/cm^(2),开启电压为0.4 V;Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr复合材料在合成时表面会产生Ag,采用HNO_(3)溶液将其浸泡除去Ag,浸泡后光电流密度为0.07 mA/cm^(2),相比于未使用HNO_(3)溶液浸泡时的光电流密度明显下降,这是由于Ag具有传输电子与空穴的能力,可加快ZnFe_(2)O_(4)和Si纳米线间光生电子和光生空穴对的分离,从而提高光电流密度;当外加80000 A/m磁场时,其光电流密度增加至0.2 mA/cm^(2),开启电压为0.28 V,表明磁场可显著提高该复合光催化剂的光催化效率。Si纳米线/ZnFe_(2)O_(4)/AgBr界面处的能带弯曲加快了光生载流子的传输,减少了光生空穴与光生电子间的复合,使更多的电子和空穴可参与到光催化过程中,进而提高了体系的光催化性能。在光催化过程中,外加磁场使体系所产生的光生载流子可以更快速地传输至光催化剂表面,进一步增强体系的光催化效率。