摘要：随着半导体芯片集成度的快速提高,光刻技术的分辨率正由90、65和45 nm迈向更先进的32 nm或以下.而分子玻璃体抗蚀剂可能是下一代光刻技术的最好选择.本文阐述了分子玻璃光致抗蚀剂的设计思想,并介绍了几种性能良好的分子玻璃光致抗蚀剂.

摘要：设计并合成了一种对高压汞灯发射光谱中的h-线(405 nm)敏感的新型光致产碱剂(PBG)——N-{[(5-哌啶-2-硝基苄基)氧]-羰基}-2,6-二甲基哌啶(PNCDP).通过红外(IR)、核磁(NMR)以及元素分析对PNCDP的结构进行了表征.紫外-可见光谱(UV-Vis)测试结果表明,与传统的i-线(365 nm)敏感PBG——N-{[(4,5-二甲氧基-2-硝基苄基)氧]-羰基}-2,6-二甲基哌啶(DNCDP)相比,PNCDP的最大紫外吸收波长为395.5 nm,较DNCDP红移了52.5 nm.初步光刻实验表明,PNCDP对h-线具有较好的敏感度.

摘要：本文介绍了国内外电子化工材料部分大类品种的现状及发展趋向，并提出至２０００年发展我国电子化工材料的措施和建议。

摘要：研究了不同于台阶形式的具有连续浮雕结构的衍射聚光透镜的激光直写工艺。简要描述了光致抗蚀剂的曝光和显影,对激光直写工艺的机理和工艺过程进行阐述.利用 CLWS-300W/C 极坐标激光直写设备制作出了具有良好面形微结构和较高衍射效率的连续型衍射透镜。研究表明,激光直写技术直写精度高,加工工艺灵活,利用计算机的控制,能够根据光学设计产生的浮雕分布数据制作复杂的、任意形状和外形的微型浮雕结构,非常适合于高精度微光学元件的加工制作.

摘要：1前言据电子电路行业业界工程技术人员统计,在集成电路设计时,分离元器件当中,电阻约占30%,电容约占40%,而其它元器件总共只占30%左右.

摘要：降低多层板成本和厚度；干膜光致抗蚀剂废水处理考虑；多层LCP封装中埋置有源元件；选择波峰焊DoE开发有铅和无铅安装的可制造性设计指南；先进的定位系统；集成电路封装与印制板协同设计；

摘要：Y2002-63234 02197012001年 IEEE 半导体制造国际会议录=2001 IEEE in-ternational symposium on semiconductor manufacturing[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—2001.—525P.(E) 本会议录收集了于2001年10月8～10日在加州San Jose 召开的半导体制造会议上发表的122篇论文,内容涉及工厂设计,半导体制造策略与结构,制造控制与管理,半导体加工测试设备,多硅片快速等温处理,光致抗蚀剂,成品率相关因素分析。Y2002-63239 02197022001年 IEEE 大学/政府/工业微电子学会议录=2001IEEE university/government/Industry microelectronicssymposium[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—2001.—225P.(E)本会议录收集了于2001年6月17～20日在弗吉尼亚 Richmond 召开的大学。

摘要：纤维织物影响的模拟；机械钻微小孔的进展；封装载板应用的RCC电容层；适合当今商业化毫米波设计的材料选择综述；

摘要：为了在一个封装内集成更高层次的功能,设计人员采用了创造性的策略,即将多芯片规格、类型乃至材料合并成单个组件。连接不同的芯片类型例如光学、机械和转换电路甚至追寻到诸如图像传感器、生物或者化学传感器等制造高度组合的组件。在产生新一代先进器件的尝试中,设计人员越来越多地转向了通过垂直厚度来增加密度和将空间、质量和功耗减到最小。芯片堆叠,硅通孔技术(TSV's)及其他纵向集成技术导致了一种在z向尺寸的增加,从而对于工艺工程师产生了一系列新的挑战。这些挑战要求有涂胶、形成图案和刻蚀结构,它们在高度上也许已经达几十乃至上百微米。探索一些与三维互连技术有关的光刻挑战,其中有采用垂直高度所必需的高度保形表面形貌状态涂胶技术的新方法,新的成像技术对于对准置于各种各样掩蔽层下面的图形,而新的曝光技术直到实现上述高度结构的高保真图形为止。