摘要：基于亚阈值区MOSFET器件栅源电压的负温度特性,以及两MOSFET串联中间结点电压的正温度特性,设计了一个新型基准电压源。与传统带隙基准电压源相比,该电路采用全cmos器件,无电阻,具有功耗低、面积小的特点。另外,设计了一个高电源抑制比、低温漂的电流源为基准电压源提供偏置。对电路进行了理论分析和优化设计,采用SMIC 0.18μm cmos工艺,在各工艺角下对电路进行仿真。仿真结果显示,该基准电源的输出电压为700mV左右,温漂系数约为8×10-5/℃,电源电压可低至1.2V,电源抑制比达到-62dB@100Hz,功耗仅为1.5μW。

摘要：基于SMIC 0.13μm cmos工艺,设计一款纳瓦级功耗的全cmos带隙基准电路。该电路由全cmos电路实现,避免使用三极管和电阻,实现了节省芯片面积的目的。晶体管工作在三极管区和亚阈值区,大幅降低了功耗。Cadence仿真结果表明:在-20~100℃范围内,温度系数为31 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V的变化范围内,电源电压漂移系数为0.42%/V。参考电源电压下,电路的电源抑制比(PSRR)达到51.7 dB@100 Hz;室温下,电路总静态电流为22.8 nA,功耗为27.4 nW@1.2 V;该电路可调节性强,适用于低功耗芯片中。

摘要：基于MOSFET亚阈值的特性,通过两个MOSFET阈值电压差与热电压VT相互补偿的原理,提出了一种全cmos基准电压源电路。与传统带隙基准电路相比,该电路采用全cmos器件,无需电阻和传统分立电容,具有电路结构简单、功耗低、温度系数小和面积小的特点。通过对电路的理论分析,采用SMIC 0.18μm cmos工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,在电源电压为1.8 V的条件下,输出电压为364.3 mV(T=27℃),温度系数为6.7 ppm/℃(-40℃^+125℃),电源抑制比达到-68 dB@10 kHz,功耗为1.3μW。

摘要：利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全cmos器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时cmos管阈值电压、电子(空穴)迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5μmcmos混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62μA.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10-4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化.

摘要：基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1 V电源电压,通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点,并结合温度补偿技术和有源衰减电路,实现在-40℃～125℃内温度变化系数为6.6 ppm/℃,低频下电源抑制比为93 dB,高频下电源抑制比为56 dB,与此同时,利用阻抗调试对环路稳定性进行了补偿。

摘要：文章分析了射频电子标签芯片电源的特点,根据电源低电压和低成本要求,讨论了传统的带隙基准源和全cmos的基准电压源电路方案,设计并实现了一种适合电子标签芯片应用的全cmos的基准电压源电路。该电路采用SMIC 0.18μm标准cmos工艺实现,电源电压范围为1~5 V,电源敏感度为1~3%/V,输出电压的温度特性为3~20.7 ppm/℃,符合射频电子标签的设计要求。