摘要：IDT公司日前宣布已与Intel公司合作，在各自内存缓冲（AMB）装置的全缓冲双列直插式内存模块（FBDIMM）间实现互通。有了这项互通之后，内存模块、服务器与工作站的设计师可放心选择FB—DIMM平台，系统仍保持弹性，可随带宽需求增加而升级。

摘要：IDT公司宣布与Intel公司合作，实现先进内存缓冲（AMB）装置的全缓冲双列直插式内存模块（FB-DIMM）之间互通。内存模块、服务器与工作站的设计师可放心选择FB-DIMM平台，系统仍保持较好灵活性，可随频宽需求增加而升级。

摘要：随着计算机领域进入大数据时代,数据的快速增长和以数据为中心的发展趋势给现有的计算机存储带来了机遇和挑战。传统的标准双倍速率(DDR)总线接口采用固定的时序,难以加入各种扩展功能,若引入新型内存器件,则存在时序兼容问题。为此基于现有的DDR协议,本文设计实现了内存缓冲扩展芯片。该芯片与处理器端的物理连接采用标准DDR总线,消除了兼容性问题;并且在芯片逻辑设计中,增加对可变延迟访问和扩展访存指令的支持,为内存增加了智能性,可用于内存加速和内存扩展。本文详细介绍了该芯片采用的关键技术,经过中芯国际40nm工艺流片验证,该芯片逻辑功能正确,运行稳定。在DDR3-1066频率下,该芯片可满足标准DDR3内存读写时序,并在龙芯3A系列主板上顺利启动Linux内核。芯片性能评估结果表明,应用扩展的访存指令可实现访存加速。

摘要：为提升空间数据存储和查询效率,支持增量式版本管理,设计了使用多级索引和缓冲,支持表和记录两级版本的管理系统。对不同的渲染和查询要求提供对应级别的索引,并建立内存缓冲策略;对空间数据编辑操作进行合并及冲突处理,提供记录级版本增量式备份和恢复;实现了空间数据表和记录级版本的前进、回溯和融合。结合实例,验证了索引缓冲和版本管理策略的效果,为空间数据高效管理提供了解决途径。

摘要：内存产品供应商英飞凌科技公司宣布，该公司正在推出双数据速率2（DDR2）全缓冲内存模块（FB-DIMM）样品，英飞凌是业界惟一能设计和生产FB_DIMM所有关键部件的公司。容量在512MB到4GB之间的新型FB-DIMM，基于英飞凌出品的高级内存缓冲（AMB）芯片．DDR2 DRAM芯片及其自主开发的散热器。另外，英飞凌还为其他B-DIMM生产商提供AMB逻辑芯片，并且已经将样品发给了第一批客户。