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嵌入式存储器的内建自修复设计
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《微电子学与计算机》2007年 第2期24卷 79-81,84页
作者:吴志伟 邹雪城 雷鑑铭 刘勇华中科技大学电子科学与技术系 亚芯微电子有限公司湖北武汉430073 
目前,关于嵌入式存储器的内建自测试(MBIST)技术已经日趋成熟。基于这种背景,研究了一种高效的内建自修复(MBISR)方法,试验表明它具有低面积开销和高修复率等优点,保证了嵌入式存储器不仅可测,而且可修复,极大地提高了芯片的成品率。
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基于DWL概念的嵌入式存储器内建自修复方法
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《电子测试》2012年 第1期23卷 13-18,89页
作者:刘勇锋 姚竹亭 顾秀江 王洁 秦新红中北大学机械工程与自动化学院山西省太原市030051 
嵌入式存储器在SoC技术中逐渐成为主体设计结构,由于存储器存在成品率的问题,所以在存储器中设计了内建自测试和内建自修复的策略来解决,其中主要是:基于冗余行的修复策略、基于冗余列的修复策略和基于冗余字的修复策略,然而,在存储器...
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故障交叉聚类的三维存储器内建自修复策略
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《电子设计工程》2018年 第21期26卷 128-134页
作者:吴静合肥工业大学计算机与信息学院 情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室 
三维存储器成品率是评价冗余共享策略的一个重要指标。为了提高三维存储器的成品率和冗余资源利用率,提出了一种全新的故障交叉聚类技术,不仅能实现故障单元垂直方向上的跨层聚类,还可以跨层聚类到相同存储阵列索引的非垂直方向位置,更...
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一种3D IC TSV互连的内建自测试和自修复方法(英文)
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《北京大学学报(自然科学版)》2014年 第4期50卷 690-696页
作者:王秋实 谭晓慧 龚浩然 冯建华北京大学微纳电子学系北京100871 北京大学深圳研究生院集成微系统重点实验室深圳518055 
提出一种检测和修复有缺陷TSV的内建自测试(BIST)和内建自修复(BISR)的方法。采用BIST电路测试TSV,根据测试结构,采用BISR电路配置TSV映射逻辑,有故障的TSV可被BISR电路采用TSV冗余修复。所提出的设计可减小TSV测试价格,并减少TSV缺陷...
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利用内容可寻址技术的存储器BISR方法
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《计算机辅助设计与图形学学报》2009年 第4期21卷 467-473页
作者:谢远江 王达 胡瑜 李晓维中国科学院计算机系统结构重点实验室北京100190 中国科学院计算技术研究所北京100190 中国科学院研究生院北京100049 
随着缺陷密度的增加,在存储器中设计冗余行或冗余列替换有缺陷的存储器单元已成为提高存储器成品率的常用方法.然而基于冗余行或冗余列的修复方法不仅对冗余资源的利用率较低、冗余分析算法较复杂,且受限于存储器生产厂商提供的冗余资...
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一种嵌入式存储器的测试与修复方法
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《集成电路通讯》2015年 第3期33卷 34-37,42页
作者:秦盼 王健 吴慧北方通用电子集团有限公司微电子部蚌埠233042 中国人民解放军驻9373厂军事代表室蚌埠233010 
嵌入式存储器是SOC设计中最常用的核,其测试和修复功能可以大大提高芯片的良率。一种存储器行修复内建自修复结构,包括BIST控制电路、BISA自分析电路和EFUSE可编程熔丝。通过项目实例证明了该结构的可行性。该结构减少了外部测试接...
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