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用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模
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《光电工程》2000年 第5期27卷 27-30页
作者:孙方 侯德胜 冯伯儒 张锦中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室四川成都610209 
讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。
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