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纳米存储器的多值逻辑设计研究
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《现代电子技术》2009年 第16期32卷 167-168,170页
作者：周少华 熊琦 杨红官 曾云湖南工程职业技术学院湖南长沙410151 湖南大学湖南长沙410015 
为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位...
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