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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究
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《半导体技术》1998年 第5期23卷 18-21,39页
作者:孙自敏 刘理天 李志坚清华大学微电子所 
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅MOSFET结构、特性的研究,发现凹槽拐角凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响。凹槽拐角...
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