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大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计: 收藏
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引用; 《Journal of Semiconductors》2005年第12期26卷 2449-2454页; 作者：王俊马骁宇林涛郑凯冯小明中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心北京100083; 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关...; 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2.; 来源：详细信息评论

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