摘要：采用传输矩阵法对Al0.5Ga0.5As-AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究，计算发现反射偏振光p和s随入射角的增大呈“V”形变化，在49．8°处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层（Al0.7Ga0.3）0.5In0.3P材料]下的反射光谱受入射角的影响差异很大，其中入射角对空气入射介质的反射谱影响较小，由0°入射的反射率88．13％降至45。的84．94％，反射峰值波长蓝移仅10nm；但入射角对（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P入射介质的反射谱影响很大，仅从0°到45°入射，反射率降幅就超过45％，反射峰值波长蓝移超过127nm。为了减缓这种影响，提出了多波长布拉格反射器结构设计。计算表明多波长分布布拉格反射器在0°～45°的入射角内比传统的分布布拉格反射器有更好的光谱特性，这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。

摘要：采用传输矩阵法对GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器(DBR)反射光谱进行研究。计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的;S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应。通过修改结构参数多次计算表明:入射角修正的方法能较快地找到提高全方向反射的结构。复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射.复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。

摘要：与传统的法布里-珀罗(F-P)腔半导体激光器相比,采用分布布拉格反射器(DBR)光栅的边发射半导体激光器在窄线宽、输出波长稳定等方面展示出了优异的特性,其在激光通信、光互联及非线性频率转换等领域有着巨大的应用需求。通过合理设计DBR光栅及器件结构,DBR半导体激光器可以实现激光窄线宽、双波长输出以及波长可调谐等性能。基于内置DBR光栅结构,DBR锥形半导体激光器可以同时兼具高功率、窄线宽及高光束质量等特性。针对这几类激光器,阐述了其结构设计、制作工艺及其性能优势,总结了国内外最新研究进展与发展现状,并对DBR半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进一步的讨论和展望。

摘要：采用传输矩阵法及Matlab软件模拟以聚合物MEH-PPV为发光材料的顶发射聚合物发光二极管(TEPLED)出光率,探讨了阳极材料、阴极材料、折射率匹配层以及发光角度等对器件出光率的影响。从仿真结果可知以传统分布布拉格反射器(DBR)为衬底的器件与以Ag膜为反射阳极的器件相比,表现出更高的出光率,达到47.43%。针对半透明金属阴极对光线的吸收和反射问题,设计了以透明材料为阴极的器件,提高了TEPLED出光率,达到67.11%,与以Ag膜为阴极的器件相比,出光率高出10%。分析了DBR对器件出光角度的影响,结果表明,器件在较小出光角度范围(30°)内DBR结构对整个TEPLED出光率影响较小;当角度大于30°时,器件出光率受DBR的反射特征影响较大。DBR的应用为TEPLED出光率的优化设计提供了理论依据。

摘要：设计了一种新型叠层光栅结构的晶体硅薄膜太阳能电池底部反射器，它由分布布拉格反射器（Distributed Bragg Reflectors，DBR）和衍射光栅两部分组成。利用严格耦合波分析（Rigorous Coupled Wave Analysis，RCWA）方法和模式传输线理论（Modal Transmission Line，MTL），对DBR和光栅进行优化设计，使该叠层光栅结构在800～1100nm波长范围内能高效反射入射光并得到大倾斜角的反射光，有效延长光子在电池体区的传播路径，使其被充分吸收。结果表明，四层Si／SiO2DBR的反射率可达99．95％，零级衍射序被有效抑制，并得到具有较大倾斜角的±1级衍射序，太阳能电池的捕光能力大大提高。

摘要：设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO2作为硬掩模,并通过减小Ar离子的束流来减弱刻蚀过程中由于物理轰击作用对SiO2硬掩模的消耗,制作出形貌良好、周期为890 nm、占空比为50%的分布布拉格反射器光栅;采用脊型波导激光器的制作工艺,成功制作出分布布拉格反射激光器,当器件注入电流15 A时,该激光器的输出功率高达10.7 W,斜率效率为0.73 W/A,器件阈值电流为0.95 A,中心波长为979.3 nm。该研究为GaAs基DBR半导体激光器的制作与研究提供了新思路。