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基于寄生电感优化的分立器件布局方法研究
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《中南民族大学学报(自然科学版)》2024年 第4期43卷 547-553页
作者:张杰 陈怡飞 余柳峰 谢卫冲 江路湖北工业大学电气与电子工程学院武汉430068 湖北工业大学太阳能高效利用及储能运行控制湖北省重点实验室武汉430068 襄阳湖北工业大学产业研究院湖北襄阳441100 
为了探究分立器件与PCB组合形成的半桥电路时采用何种布局方式才能尽最大限度减小线路寄生电感的问题,基于换流回路寄生电感概念,提出了一种经优化的分立器件在PCB上的布局方式,进而减小换流回路的寄生电感,随后通过有限元仿真软件评估...
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分立器件并联型叠层母排均流分析及优化设计
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《电工技术学报》2023年 第8期38卷 2086-2099页
作者:於少林 张兴 王佳宁 周伟男 黄耀东可再生能源接入电网技术国家地方联合工程实验室(合肥工业大学)合肥230009 合肥综合性国家科学中心能源研究院合肥230088 
并联应用SiC MOSFET是一种适应大功率变流场景的有效方案,但是容易出现器件电流不均衡现象。该文根据一款分立器件并联型逆变器出现的静态不均流问题,在建立的寄生参数模型基础上分析寄生参数差异性对于并联均流的影响,指出影响静态均...
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基于分立器件并联型碳化硅逆变器的叠层母排设计研究
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《中国电机工程学报》2022年 第10期42卷 3738-3750页
作者:於少林 张兴 王佳宁 吴馥晨 王琛 刘元剑合肥工业大学电气与自动化工程学院安徽省合肥市230009 
分立器件并联型碳化硅逆变器中,主功率回路叠层母排的设计需满足低寄生电感、外电路对称及器件均温的目标。然而,现有叠层母排的结构方案大多针对的是功率模块,对于分立器件并联型叠层母排缺乏系统性的设计方法。首先以两管并联为例,...
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基于寄生电感优化的分立式SiC MOSFET器件压接封装方法研究
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《中国电机工程学报》2023年 第21期43卷 8478-8489页
作者:李辉 朱哲研 姚然 王晓 刘人宽 余越 赖伟输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)重庆市沙坪坝区400044 
现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路,封装寄生电感偏大,增大器件高频工况下的开关损耗。对此,该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首...
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安森美(onsemi)高功率硅基和碳化硅(SiC)分立器件,助力优化住宅太阳能系统
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《世界电子元器件2023年 第12期 41-47页
《建筑节能与可再生能源利用通用规范》于2022年4月1日起开始实施,其中明确:新建建筑应安装太阳能系统,其中的集热器设计使用寿命应高于15年,光伏组件设计使用寿命应高于25年。在世界范围内,也有越来越多的国家开始强制要求新住宅安装...
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安森美(onsemi)高功率硅基和碳化硅(SiC)分立器件,助力优化住宅太阳能系统
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《世界电子元器件2023年 第11期 48-54页
《建筑节能与可再生能源利用通用规范》于2022年4月1日起开始实施,其中明确:新建建筑应安装太阳能系统,其中的集热器设计使用寿命应高于15年,光伏组件设计使用寿命应高于25年。在世界范围内,也有越来越多的国家开始强制要求新住宅安装...
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彩电国产化中的半导体分立器件
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《半导体技术》1989年 第1期5卷 1-6页
作者:王伯熙 
自进入八十年代以来,我国的半导体分立器件的科研和生产有了很大的发展.“六五”期间,国家共投资八亿元,改造了半导体分立器件生产线共135条,若全部达到设计能力以后,到1990年我国为半导体分立器件预计可达到40亿只的生产能力.
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用于新能源汽车IGBTs分立器件并联技术分析
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《电力电子技术》2011年 第12期45卷 66-68页
作者:刘丹 肖喆 刘为文航空机电系统综合航空科技重点实验室江苏南京211102 北京西能电子科技发展有限公司.北京100036 
针对新能源汽车应用涉及的各种电力变换单元,从IGBTs和MOSFET的芯片结构特点、输出特性以及市场价格等方面比较,指出IGBTs分立器件并联技术更适合车载充电器、充电桩以及10 kW以下电机驱动控制器;接着通过IGBTs的开关过程分析,强调了IG...
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分立器件电机控制器功率单元设计与实现
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《汽车文摘》2021年 第1期 42-47页
作者:钟华 刘志强 宋佳茵 赵慧超中国第一汽车股份有限公司新能源开发院长春130013 汽车振动噪声与安全控制综合技术国家重点实验室长春130013 
新能源车用电机控制器一般采用大功率模块实现,受成本、空间、器件资源等因素影响会考虑采用多功率器件并联方案来代替功率模块方案。本文研究分立器件电机控制器功率单元设计与实现,主要研究功率主回路的设计,包括多功率器件并联均流...
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基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计
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《电工电能新技术》2018年 第10期37卷 51-57页
作者:王翰祥 蒋栋华中科技大学电气与电子工程学院湖北武汉430074 
SiC MOSFET功率模块能够帮助提高变换器高温、高功率密度运行的可行性。同时,对于高温下可靠运行的驱动电路的需求也随之增加。由于Si技术的驱动芯片和隔离芯片的耐温最大不超过125℃,本研究提出了一种使用脉冲变压器配合基于Si材料的...
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