摘要：引言 自绝缘闸双极型晶体管（IGBT）于上世纪80年代面世以来，一直成为中等功率应用中最常用的部件“1，2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗，以及双极结型晶体管（bipolar junction ***）的载流能力，可简化闸极驱动要求，同时增强导通状态性能“3”。

摘要：2019年4月16日,台湾集成电路制造股份有限公司宣布推出6nm(N6)制程技术,大幅强化目前领先业界的7nm(N7)技术,协助客户在效能与成本之间取得高度竞争力的优势,同时藉由N7技术设计的直接移转而达到加速产品上市的目标。

摘要：义一颗真正的组件为例运算放大器的制程技术以及设计技巧会影响其噪声性能。模拟IC的设计工程师采用内部电路的技法，利用偏压电流消除来降低双极晶体管的偏压电流。这些技法会为电流噪声密度规格导入一项相关的元素。图6所示为来自ADI的AD8599这类针对超低噪声、低失真度的运算放大器的噪声规格。

摘要：ARM与Globalfoundries公司共同宣布，已完成其20nm晶片的设计定案（tapeout），并展示了采用28nm制程技术、频率达2．5GHz以上的Cortex-A9SoC。

摘要：新年首个超亿美元项目奠基无锡新区今年的第一个超亿美元项目——上华科技(无锡)有限公司于1月20日举行了奠基仪式。市委常委、副市长贡培兴为新工厂奠基培土。该公司总投资1.5亿美元,主要从事半导体集成电路的生产,引进了0.

摘要：NetLogic Microsystems公司与台湾积体电路制造股份有限公司日前宣布,在领先业界的40nm泛用型制程技术领域合作,推出NetLogic Microsys-tems下一世代先进的knowledge-based网络处理器及10／40／100Gigabit实体层（PhysicalLayer）解决方案。NetLogicMicrosystems是knowledge—based网络处理器及整合高速芯片设计发展的领导者，也是最先在台积电公司先进40nm制程流片与验证多项产品的客户之一。

摘要：中国大陆半导体产业的崛起已成不容忽视的定局。欧系外资出具最新报告,对五家中国大陆的半导体企业后势看好,可望成为＂国家冠军＂,其包括晶圆代工的中芯（SMIC）、记忆体的武汉新芯（XMC）、封测的长电（JCET）、IC设计的展讯（Spreadtrum）/锐迪科（RDA）以及华为旗下的海思（Hi Silicon）。

摘要：砷化镓射频(RF)元件凭借着优异的杂讯处理及高线性等特色,成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案;然而,近来随着绝缘层覆硅(SOI)制程技术的突破,以硅材料为基础的RF元件性能已大幅突破,成为替代砷化镓方案的新选择。近来硅基产品在技术上的突飞猛进,再结合设计制程的改变,使其在高效能射频(RF)及微波应用中,已逐步展现做为砷化镓替代方案的可行性。设备技术的快速进展带动的需求,通常可以引导发展出最佳设计。

摘要：半导体芯片巨头Intel公司宣布在2007年11月发布用于服务器的45nm制程处理器,即5400四核系列和5200双核系列,标志着服务器将进入到45nm时代,本文将介绍处理器制程的一些概念,处理器制程的发展,以及浪潮服务器产品在45nm时代到来时所作的一些工作。

摘要：中国台湾国立台湾大学与TSMC 16日共同发表产学合作成果,成功研发出全球第一颗以40纳米制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片,可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验。此项成果为视讯处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破,该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上(ISS-