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硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法: 收藏
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引用; 《传感器与微系统》2019年第3期38卷 25-27页; 作者：郭玉刚吴佐飞田雷中国航发控制系统研究所江苏无锡214063 中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨150001; 针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的...; 针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。; 来源：详细信息评论

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