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基于混合架构的电力信息管理系统设计研究
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《电子设计工程》2021年 第17期29卷 120-124页
作者:周玲 汤成佳 杨松 吴方权 刘亦驰贵州电网有限责任公司信息中心贵州贵阳550000 
为了提高电力信息管理的智能化水平,提出基于混合架构的电力信息管理系统设计方法。采用融合特征分布式检测方法进行电力信息管理过程调度,在混合构架体系下挖掘电力信息的相关特征量,分析电力信息系统三相绕组的特征分布,结合混合励磁...
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InP/InGaAs HBT的频率特性分析
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《光电子技术》2008年 第3期28卷 156-160,164页
作者:马晓晖 黄永清 黄辉 吴强 任晓敏北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室北京100876 
频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标。首先基于InP/InGaAs HBT器件的物理结构构建了小信号等效电路模型,对该模型进行了理论分析,随后基于提取的有效参数结果,对该等效电...
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基于TQP7M9105的超宽带功率放大器优化设计
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《移动信息》2017年 第7期 6-7页
作者:刘洋 王治国 李燕南空军通信士官学校辽宁大连116600 
超宽带功率放大器是宽带微波发射系统的重要组成部分。基于TQP7M9105,设计工作频率为400~8000?MHz,带宽为400?MHz的超宽带功率放大器。经仿真优化给出了具体电路和参考参数,并为超宽带功率放大器的研制提供参考价值,也具有较大的工程参...
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用ADS实现一个2.38GHz全集成化低噪声放大器设计
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《现代电子技术》2008年 第17期31卷 151-153页
作者:张刚 武超洛阳理工学院河南洛阳471003 
使用安捷伦的ADS系统,设计一个适用于射频无线的CMOS LNA,使用0.25μm的制造工艺实现全集成化设计,工作电压为2.5 V,工作频率为2.38 GHz。重点对LNA的输入输出阻抗匹配,线性度,噪声系数,功率增益等参数进行仿真和分析。通过对电路的设...
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微波宽带放大器的设计与EDA仿真
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《无线电通信技术》2005年 第1期31卷 51-53页
作者:王先富 牛忠霞信息工程大学信息工程学院郑州45002 
主要描述了在EDA条件下,6~18GHz的中功率宽带微波放大器的设计方法,并根据小信号S参数拟合出其在特定工作条件下的小信号模型参数.通过利用微波电路EDA软件Serenade 对其进行了线性仿真和优化:实验证明:在平坦度小于2.5dB的情况下:放...
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基于ADS的接收机低噪声放大器优化设计与验证
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《通信技术》2018年 第4期51卷 977-981页
作者:殷璐解放军91404部队 
低噪声放大器是通信接收机前端的主要部件,其设计优化水平对接收机灵敏度的提高起着关键性作用。结合对噪声系数、三种功率增益和稳定性因子的理论分析,介绍低噪声放大器设计时需重点考虑的因素,提出最小噪声匹配和输出阻抗匹配相结合...
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WPT中高效E类功率放大器的研究
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《电子元件与材料》2017年 第8期36卷 88-92页
作者:蒋鹏 杨平电子科技大学机械电子工程学院四川成都611731 
作为无线电能传输(WPT)系统的核心部件之一,E类功率放大器的理论效率可达100%,具有很好的研究前景。本文对E类功率放大器进行理论分析与设计建模,运用电磁仿真软件ADS进行仿真,通过源牵引和负载牵引进行最佳阻抗匹配以优化效率,基于仿...
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1.8~2.2GHz低噪声放大器设计
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《大众科技》2012年 第3期14卷 47-49页
作者:王伟 杨显清电子科技大学电子工程学院四川成都611731 
文章首先分析了低噪声放大器电路噪声系数,稳定性以及功率增益,然后设计了一个1.8GHz~2.2GHz的两级低噪声放大器(LNA)。版图联合仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于0.7dB,功率增益大于20dB,输入驻波比小于1.5,输出驻波比小于2。根据...
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0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计
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《电子世界》2019年 第21期 180-181页
作者:韩娜 廖学介 杨秀强 庞玉会成都西科微波通讯有限公司 成都嘉纳海威科技有限责任公司 
设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用高阻线实现,匹配电路和管芯之间使用金丝键合,功放封装在24mm&...
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一种基于CMOS工艺的差分低噪声放大器设计
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《北京电子科技学院学报》2007年 第2期15卷 36-38,48页
作者:马涛 柴常春 康英 杨银堂西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071 
研究低噪声放大器(LNA)的结构以及性能参数,采用电路仿真软件ADS(Advanced Design System)设计一个基于台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺的2.5GHz差分低噪声放大器。通过在输出端增加共源极的优化方法,对其进行电路结构的改进,得到一个高性...
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