摘要：本文论述了新型高速功率开关器件—800V、10A静电感应晶闸管的结构、设计和工艺研究。说明了所研制的器件的直流特性和开关特性,得到导通时间1.8μs,关断时间1.5μs的较好效果。

摘要：GaN功率开关器件界面态和缓冲层中深能级陷阱会导致高压电流坍塌和动态导通电阻退化。为提升高性能GaN功率开关器件抗高压性能,改善动态导通电阻退化能力,应采用极值性PEALD-AlN钝化技术设计高压状况下GaN功率开关器件,实现单片集成器件的目的,在去氧化层和氮化处理GaN功率开关器件表面后,采用高温LPCVD-SiNx钝化技术,使器件表面形成钝化层,抑制界面态导致的高压电流坍塌。同时,在高性能GaN功率开关器件电极附近注入磷离子,提升导通电阻性能,降低导通电阻退化速度。经过实验分析发现,经过极值性PEALD-AlN钝化后的GaN功率开关器件电流几乎无明显变化,在磷离子注入后,随着触发能量的变化,导通电阻变化较小,最小值达到3.16Ω/mm,即该方法能有效抗高压动态导通电阻退化。

摘要：本文介绍了功率开关器件谐振驱动的新思想,提出了基本谐振驱动电路,建立了它的数学分析模型,详细分析了功率开关器件谐振驱动的工作过程,探讨了不同工作情况下功率开关器件谐振驱动频率与负载频率的关系,分析了它的基本特性,得出谐振驱动电路的基本设计参数,最后将谐振驱动电路应用在逆变电路中.理论研究和实际应用表明:谐振驱动电路具有功耗小、节约能源、实现电路简单且具有较软的开关特性等优点.

摘要：一、前言弧焊逆变器的每一个工作过程都将经历一次或几次温度的循环过程,温升和温度循环对弧焊逆变器的可靠性有着非常不利的影响.如果热设计不合理会导致电子器件温升过高,并使之处于工作温度波动范围很大的状况下,造成电气性能、机械性能及热性能的劣化,大大影响逆变器的可靠性.

摘要：绝缘栅晶体管是一种新型的功率开关器件。它把功率MOSFET和双极型器件的有关技术结合起来,为电路设计者提供一种既具有功率MOSFET的输入特性,又具有双极型器件输出特性的器件。本文讨论该器件的额定值、特性和应用,并界定了其实际工作频率、电压和电流的极限值,以及和其它器件的接口要求。

摘要：英飞凌科技两名新成员600V逆导型（RC）IGBT家族闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT,可以设计更高能效的电机驱动家用电器,它们使用更小的组件,因而总成本低于同类系统。

摘要：意法半导体最新推出两款快速启动的智能型功率开关器件(IPS),以满足更高的安全型应用需求。IPS160HF和IPS161HF,其导通延迟时间小于60μs,能够满足SIL Class-3的C、D类接口应用的标准要求。这两款产品具有8~60 V的宽输入电压范围,120 mΩ的最大开关导通电阻(RDS(on)),10μs的电压上升/下降时间,20μs的传输延迟,兼具灵活性、低耗散功率和快速响应。升级的诊断功能可以指示开路负载、过流关断和过热关闭,简化安全需求型的功能设计。

摘要：配电静止同步补偿器(DSTATCOM)的可靠性与主电路功率开关器件的驱动和保护密切相关,DSTAT-COM运行中的诸多故障很大程度上与主电路功率开关器件有关。为了使功率开关器件稳定、可靠的工作,讨论并设计了DSTATCOM主电路功率开关器件IGBT的驱动电路和吸收保护电路。驱动电路采用集成智能驱动模块2SD315A,该模块集驱动、隔离、保护为一体且结构简单、功能强大、使用方便,非常适合于实际装置的开发。给出了利用2SD315A设计驱动电路的详细过程并为2SD315A设计了可靠的上电复位电路吸收保护电路采用RCD型电路,介绍了RCD型吸收保护电路的工作原理。根据RCD型吸收保护电路的工作原理和吸收保护电路安全可靠工作的目的建立了电路参数优化设计的数学模型。该模型中以功率开关器件承受的浪涌电压最小、放电时间常数最小和投资成本最小为目标函数。然后通过并行自校正多目标遗传算法优化吸收保护电路参数,给出了一个设计实例。实验装置的实际运行证明:所设计的IGBT驱动保护电路性能优良、可靠性高,对其它同类型的电力电子装置有较好的借鉴作用。

摘要：本文介绍了专用驱动芯片组UC3724/25的主要特点和原理,并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验。实验结果表明,该集成驱动电路具有开关速度快,且能满足驱动所需的功率,是一种性能较好的驱动电路。

摘要：设计了一种简单实用的过流检测与保护电路,该电路具有结构简单、成本不高、保护可靠且容易实现等特点,同时具有正向过流及反向过流两种情况的检测功能。实验证明该电路可以广泛地应用于功率开关器件如MOSFET的保护电路中,响应速度快,系统调试方便,有实用价值。