摘要：对功率mos管和功率双极管的优缺点进行比较，介绍功率mos管的安全工作区（SOA），重点分析了影响功率mos管安全工作的原因以及为避免这些不利因素而采用的保护技术，对斜率控制、过温、过压、过流等保护措施进行了详细的说明。

摘要：引言在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率mos器件.所以深入了解功率mos器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要.开关电源电路中mos管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率mos的工作性能产生影响.为了使开关电源设计师在使用功率mos管时有的放矢,本文将对功率mos管的各项基本参数和性能进行论述.

摘要：近年来,光mos继电器以其可靠性高、开关速度快等优点越来越受到人们的关注。光电继电器通过将光学器件和功率半导体封装在同一管壳内,通过光电耦合技术实现了低压控制高压的开关,是一种新型的固体继电器。讨论了光mos继电器的工作原理和结构特点,对其内部的光电二极管阵列结构进行了设计仿真,确定了光电二极管的衬底浓度和吸收厚度参数,并合理选择相应mos功率管完成匹配。照此研制出的光电继电器产品可以满足市场需求。

摘要：针对电光Q开关要求速度快的特点,提出基于Marx发生器的高压快速调Q驱动电路的设计方法。利用高压模块产生一级高压为并联电容充电,采用变压器隔离驱动8路mos管。当触发信号引入时,功率mos管导通使电容串联同时放电,从而电压倍增获得快速的高压脉冲。实验结果表明:通过该方法获得了上升沿12 ns,幅值3 000~4 000 V数字可调的高压脉冲波形。相比于传统脉冲变压器法的波形,上升时间减小了近35 ns。此调Q电路已应用于激光二极管(LD)泵浦的固体Nd:YAG激光器中,且长期稳定工作。

摘要：为了改善功率mos管及其驱动电路在高频开关状态下,功耗与可靠性等性能上的恶化问题,分析了此类电路中由于CdV/dt现象所导致的寄生效应.首先考虑功率mos管及驱动电路的主要寄生参数,详细分析了CdV/dt现象产生的机理.在此基础上,采用状态方程的建模方法,提取关键电压与电流参数作为状态变量,建立并有效验证了一种功率mos管的数学分析模型.通过对此模型的仿真,发现CdV/dt现象会带来栅极耦合电压、穿通电流、漏极振荡等不良寄生效应.同时对各种寄生参数与效应间的关系进行了分析.最后,根据仿真分析结果,给出了电路的优化设计方法.实际电路的测试结果证明,该功率mos管模型与驱动电路的优化方法在CdV/dt现象分析与改善上具有明显作用.

摘要：介绍一种串联饱和型白光LED照明恒流驱动芯片的设计,电路包括带隙基准电压源、反馈电路、电流传感取样电路、LDO电路、大功率驱动电路五部分。

摘要：　介绍了一种用于相控阵雷达的低功耗铁氧体驱动器和功率mos管的电路设计,工作在9V时,其功耗小于18mW。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路。

摘要：介绍了一种LDO型串联大功率白光LED恒流驱动控制器的设计。该电路包括LDO、带隙基准电压源、反馈电路、电流传感取样电路、大功率驱动电路五个部分。芯片采用9V供电,利用片内集成的LDO电路输出5V电压,作为控制部分的电源电压。采用台积电0.35μm2P4MN阱Cmos标准工艺完成设计。Spectre仿真结果表明,当电源电压在±10%之间跳变或环境温度在0℃～100℃之间变化时,芯片可为3W白光LED提供350mA恒定驱动电流,误差小于±0.5%,电源利用效率可达76.17%以上。

摘要：提出桥式开关电源的一种互锁保护电路，基本上消除了桥式开关电源同一相桥臂直接短路的现象，而且，在互锁保护电路的基础上设计了切断式过流保护电路，当电路发生故障时，不仅可以避免不同相桥臂上功率ＭＯＳ管过流的损坏，还可以避免同一相桥臂上功率ＭＯＳ管过流的损坏．最后给出了实验结果和分析．

摘要：基于功率mos管导通电阻对电流采样的方法,设计了一种用于带集成功率mos管的Buck变换器的过流保护电路,改善了传统过流保护电路的限流阈值随电源电压和温度变化较大的问题。对该电路的结构和原理进行了阐述与理论推导,采用Hspice软件对理论分析进行了仿真验证。仿真结果表明:当电源电压在2.5~6V、温度在-55℃~125℃的范围内变化时,电路的限流阈值保持在3.2A,限流阈值的最大误差值不超过±9.4%。该电路具有极快的响应速度,最大延时仅为33ns。