摘要：为了满足脉冲电场消融的应用需求,解决单极性脉冲电场分布不均匀的问题,研制了一台基于半桥结构的主电路、具有纳秒级前沿的高重复频率双极性亚微秒高压脉冲电源。该脉冲电源由FPGA提供控制信号,经过驱动芯片放大控制信号后,利用光耦隔离驱动多个SiC mosfet。驱动电路所需元器件较少,信号控制时序简单,可提供负压偏置,使开关管可靠关断,提高了电路的抗电磁干扰能力,使电源能稳定运行。通过电阻负载实验,对比分析了不同栅极电阻对驱动电压的影响,驱动电压上升沿时间越短对应的双极性高压脉冲前沿越快。实验结果表明:所设计的高频双极性脉冲电源在100Ω纯阻性负载上能够稳定产生重复频率双极性纳秒脉冲,输出电压0~±4 kV可调,脉宽0.2~1.0μs可调,正负脉冲相间延时0~1 ms可调,上升沿和下降沿60~150 ns之间。该双极性脉冲电源电路设计结构紧凑,能满足应用的参数需求。

摘要：变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关损耗的方法在数学建模过程中需要求解微分方程组,计算过程较为复杂,不利于实际工程应用。该文提出一种简洁易用的mosfet开关损耗简化计算方法。首先,推导出mosfet非线性电容及跨导系数取值公式,并细化了mosfet开关过程中的模态;然后,通过对各模态电流、电压波形进行分段线性近似处理,避免求解微分方程组,推导出相应模态的持续时间以及电流、电压的简化解析式及开关损耗计算公式;最后,通过对比计算结果和Pspice模型仿真结果,验证了该计算方法的准确性。

摘要：本文报导了近年来发展较为突出的功率场效应器件VDmosfet的辐射效应以及国内外VDmosfet的抗辐照特性,最后给出了该器件的基本设计原则和加同工艺技术。

摘要：汽车的功率开关器件普遍采用传统电磁继电器,针对传统电磁继电器开关速度慢、存在机械寿命等问题,结合指标需求,设计了基于CAN通信的智能汽车电子开关。智能电子开关主要分为硬件和软件设计,以英飞凌XC2234L微控制器、功率mosfet和CAN通信完成作为其硬件控制核心,最终完成对硬件电路的模块化设计;采用英飞凌开发工具完成底层驱动代码,完成软件的模块化设计。该无运动零部件的电子式智能开关具备通信以及报警功能,可通过CAN与上位机通信,实时监测工作电流、电压以及工作温度。测试结果表明,该继电器满足设计指标,在最大负载电流100 A持续通电过程中,上位机显示功率mosfet温度小于85℃,且不会自动关断。

摘要：本文根据功率mosfet的结构特点，说明栅极驱动的特点和驱动电路的基本类型。提出了两种实用的驱动电路拓扑结构，并对其进行了分析。

摘要：针对mosfet易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证mosfet能在高速应用场合的可靠运行。该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点。经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性。

摘要：功率mosfet并联在低压大电流领域是一种常见而且有效的解决方案。但是,由于mosfet器件参数、回路寄生参数以及栅极驱动参数的差异性等因素,功率mosfet器件并联时常常出现电流不均衡现象。通过Multisim仿真,分析了mosfet器件参数因素以及外围电路特性对并联支路静态和动态电流的影响;根据法拉第电磁感应定律以及磁通约束原理,采用耦合电感的均流方法,在并联的各支路中串入共磁芯耦合线圈,实现了各并联支路的电流平衡;然后,通过建立耦合电感的电路以及数学模型,揭示了串入耦合电感实现均流的数学原理。最后,通过仿真验证了串入耦合电感实现并联功率mosfet均流方法的有效性与可行性。

摘要：本文主要讨论了功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路的设计方法以及主要注意事项。

摘要：针对桥式拓扑功率mosfet因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题,给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型,对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究,分析了驱动电路各参数与振荡的关系,并以此为依据对驱动电路进行参数优化设计,给出了实验波形。理论分析和实验结果表明,改进后的驱动电路成功地解决了驱动信号的振荡问题,从而保证了功率mosfet能够安全、可靠地运行。

摘要：本文研究了功率ＭＯＳＦＥＴ管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率ＭＯＳＦＥＴ器件时，应根据应用具体条件（如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压）重新确定功率ＭＯＳＦＥＴ器件的安全工作区，为正确使用该器件和设计电路参数提供依据。