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一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路
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《电子与封装》2005年 第8期5卷 27-31,22页
作者:鲍剑 王志功 李智群东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 
本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到了7kV。
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