摘要：在分析H.264/AVC编码过程中存储器带宽需求的基础上,提出一种DRAM控制器结构,并实现了几种不同调度策略的DRAM控制器结构设计。实现了令牌环、固定优先级和抢占式等三种结构,结合已有的存储空间映射方法,通过减少换行及Bank切换过程中的冗余周期,进一步提高存储器的带宽利用率。实验结果表明,提出的三种存储器结构中抢占式调度具有最高的宽利用率,可满足150MHz时钟频率条件下HDTV1080P实时编码的应用。

摘要：设计了一种与逻辑工艺兼容的64 kb高速高密度嵌入式增益单元动态随机存储器(eDRAM)。该存储器单元通过结构和版图的优化,典型尺寸为同代SRAM的40%。高低阈值管的引入分别改善了单元的读取速度和数据保持时间。同时交错并行隐式刷新机制利用增益存储单元读、写端口独立的结构和操作特性,配以合适的时序和仲裁机制,使得在无额外通信信号和握手接口下,实现刷新与访问互不影响,数据访问率达到100%。相比其他隐式刷新技术,该技术不需要过大的外围开销即可完成访问带宽加倍。芯片用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现,大小为1.35 mm×1.35 mm。

摘要：提出在语音处理系统中应用DRAM（dynamic random access memory）作内存，实现语音数据的存储和回放。在分析DRAM特性及其操作时序和DSP（digital signal processor）总线时序基础上，设计了DSP与DRAM接口的硬件和软件。

摘要：本文介绍了现场可编程门阵列(FPGA)与外部存储设备的接口实现问题,给出了SRAM和DRAM这两种典型的存储器接口实现的设计方法,分析了在FPGA具体实现过程中的一些常见问题,并提供了设计实现时所需的时序图和原理图。本设计采用VHDL硬件描述语言编程,可以实现FPGA与外围设备的高速数据传输,同时还可以扩大存储容量。其中FPGA与SRAM和DRAM的接口设计基本原理对其它同类的存储器也适用。

摘要：应用材料公司宣布其成功的Applied Reflexion GT CMP1系统工艺已经扩展．增加钨薄膜平坦化工艺。该CMPT艺对于制造先进的动态随机存储器（DRAM）、NAND闪存和逻辑器件的晶体管触点和通孔至关重要。依托经过验证的Reflexion GT双硅片架构，

摘要：人不缺心。但中国缺“芯”。他“变卖”了大半生光阴,为“芯”痴狂。论名,在中国微电子学界没有人不知道他。论成就,他领衔研制成功我国第一块1024位MOS动态随机存储器;第一个按软件工程方法开发的集成化超大规模集成电路计算机辅助设计系统;2004年9月25日,我国大陆第一条12英寸芯片生产线在他参与创建的中芯国际集成电路制造公司建成投产,使我国集成电路制造技术跻身国际高端行列……70岁时,他说:“我的梦想10年後会实现,那时,中国集成电路事业会令世人刮目的。”他是谁?中国科学院院士、北京大学微电子研究院院长王阳元。一如几十年前那般痴狂。

摘要：SDRAM是一种具有同步接口的高速动态随机存储器,它与DSP相结合运用在指纹图像处理中,提高了指纹图像处理的速度.但SDRAM与DSP的输出信号不同,故需加以接口电路.本文利用现场可编程门阵列(FPGA),设计实现TMS320C5402与SDRAM接口电路,使SDRAM在指纹处理模块中充分发挥了数据缓存的作用.

摘要：本文介绍了电话答录机的分类及其性能，着重介绍采用ＰＩＣ单片机控制的数字电话答录机的电路设计。

摘要：中国最大的合同芯片生产商中芯国际(Semiconductor Manufacturing Internatinoal Corporation)重新启动向外部投资者出售战略股份的计划。

摘要：动态随机存储器是嵌入式系统的一个重要组成部分,而动态随机存储器故障是嵌入式系统故障的一个主要原因之一。在此从动态随机存储器的结构和失效模型出发,有针对地提出了用于检测性能的数据和读写方式,实验证明通过提出的检测方法能够有效地找出潜在的存储器故障,从而能够为嵌入式系统设计人员提供改善系统性能的方法和途径。