摘要：Y98-61420-71 9914275动态随机存取存储器=Session:DRAM[会,英]//1998IEEE International Solid-State Circuits Conference(Technical Digest).—71～83(HG)本部分6篇论文摘要的题目是:应用存储器生成程序合成的2112导数结构的可构动态随机存取存储器(DRAM)的宏设计,应用机内自测的 ASIC 库粒状DRAM 宏观结构,高速 DRAM 500Mb/s

摘要：多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,D R A M设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为D R A M器件设计中至关重要的一个考虑因素。

摘要：对靳大叶(译音)来说，这10年中，事物的变化是既小又大。彼时此时，他自鸣得意，因为他能为无处不用的被称之为“德莱姆”(动态随机存取存储器)的存储芯片的最杰出的生产商从事至关重要的半导体设计研究而获得巨大声望。但彼时，那公司是国际商用机器公司。而此时却是三星电器公司，在1983年它还只是个无足轻重的芯片生产商；

摘要：Y2000-62114 00102861999年 IEEE 存储器技术、设计与测试国际专题研讨会会议录=1999 IEEE Proceedings of internationalworkshop on memory technology,design and testing[会,英]/IEEE Computer Society & Computer Society Tech-nical Committee on VLSI.—IEEE,1999.—131P.(EC)

摘要：单端静态随机存取存储器(SRAM)具有功耗低和芯片尺寸小的特点。本文提出了单端六晶体管随机存取存储器的设计和测试策略。验证了测试时间短、无滞留测试和大测试有效范围的优点。可以实现全CMOS SRAM 测试的高质量控制和短测试时间的目标。

摘要：2015年8月13日,是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布推出配合逻辑分析仪执行DDR4×16DRAM（动态随机存取存储器）设计测试的全新BGA（球形栅格阵列）内插器解决方案。借助Keysight W4636ADDR4×16BGA内插器解决方案,工程师能够快速且精确地捕获地址、命令信号和数据信号子集,以完成高达2400 Mb/s的设计调试和功能验证测量。

摘要：是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布推出配合逻辑分析仪执行DDR4 x16 DRAM（动态随机存取存储器）设计测试的全新BGA（球形栅格阵列）内插器解决方案。借助Keysight W4636ADDR4 x16 BGA内插器解决方案，工程师能够快速且精确地捕获地址、命令信号和数据信号子集，以完成高达2400Mb／s的设计调试和功能验证测量。

摘要：昂贵内存的末日屈指可数。一系列开发中的新型芯片设计为我们带来了福音。得益于更好的内存设计和制造技术,二十年来动态随机存取存储器(DRAM)芯片的存储密度有显著的改进。单元密度每三年翻4倍,而每兆字成本则每年下跌近40%。

摘要：研调机构IC Insights预计,2015年前10大整合器件制造（IDM）厂营收将持平,反观前10大IC设计厂则恐将衰退5%,这将是史上第2度IDM厂表现优于IC设计厂。IC Insights指出,2010年动态随机存取存储器（DRAM）与储存型快闪存储器（NAND Flash）市场分别大幅增长75%及44%,带动当年半导体IDM厂营收增长达35%。

摘要：紫外线激光内存修正设备9835能够用于200毫米和300毫米硅片。设备用于提升90纳米工艺以及更先进生产技术制造的动态随机存取存储器、静态随机存取存储器、嵌入式内存和其它应用激光熔断技术的产品的合格率，并且能够兼容下一代半导体器件。0．35微米的激光波长光斑使设备可以满足90纳米以下的设计规则的需求。