摘要：从化学镀钯反应机理入手,分析了影响化学镀钯质量的工艺参数,并运用DOE(试验设计)中的健壮设计实验方法,对这些参数进行了优化,获得了新型ENEPIG(化学镀镍、钯与浸金)印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数:氯化钯质量浓度2.2 g/L,次磷酸钠质量浓度13.2 g/L,氨水体积分数165 m L/L,温度55°C,p H 9.6,氯化铵质量浓度33 g/L。验证试验表明,应用优化后的化学镀钯工艺时,钯的沉积速率均值从原来的0.64 mg/(cm2·min)提升到4.83 mg/(cm2·min),分散度也有明显改善。经过大样本量验证,试验具有良好的重复性和再现性。

摘要：化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2 g/L氯化钯,13.2 g/L次磷酸钠,165 m L/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6。验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高。