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RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进: 收藏
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引用; 《传感器与微系统》2006年第7期25卷 40-42页; 作者：蔡描郭兴龙刘蕾陈瑾瑾赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062; 通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法，使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上，特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工...; 通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法，使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上，特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点。测试结果表明：开关的下拉电压为28V，最低开关时间为0．8μs，开关寿命达7×10^5次，0～10GHz的插入损耗在0～0．5dB，隔离度为35～45dB。; 来源：详细信息评论

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