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半导体器件
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《电子科技文摘》2002年 第9期 16-17页
Y2002-63209 02173252001年 IEEE 双极/双极互补 MOS 电路与技术会议录=2001 IEEE proceedings of the 2001 bipolar/BiCMOSOrcuits and technology meeting[会,英]/IEEE ElectronDevices Society.—2001.—199P.(E)本会议录收集了于200...
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半导体器件
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《电子科技文摘》2000年 第12期 31-32页
Y2000-62448 00200521999年 IEEE 亚太地区微波会议录,卷1=1999 IEEEproceedings of Asia pacific microwave conference,Vol.1of 3[会,英]/MTT/AP/EMC Chapter,IEEE SingaporeSection.-IEEE,1999.-213P.(EC)本会议录收集了于1999年11...
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半导体器件
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《电子科技文摘》2006年 第9期 29-页
0622900电流拥抒效应对GaN基发光二极管可靠性的影响[刊,中]/艾伟伟//激光与红外.—2006,36(6).—491- 494,503(G) 0622901 PLD在三态采样一保持开关功放中的应用研究[刊,中]/张丹红//电子科技.—2006,(6).—59-61(D)分析了两态采...
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半导体器件与集成电路设计基础》课程实践教学改革——场效应管中Si纳米线湿法腐蚀
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《广州化工》2025年 第1期53卷 208-211页
作者:张杰 范瑜常熟理工学院电子信息工程学院江苏常熟215500 
硅湿法腐蚀工艺作为硅基集成电路制造中最基础、最关键技术之一,已被广泛地应用于实际生产中。利用硅各向异性湿法腐蚀,我们设计制作了场效应管中Si纳米线沟道。该实践教学覆盖了《半导体器件与集成电路设计基础》课程中多个重要知识点...
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半导体器件引线框架材料的现状与发展
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《材料科学与工程》2001年 第3期19卷 127-130页
作者:邬震泰浙江大学材料科学与工程系杭州310027 
本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状 ,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析 ,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展 ,引线框架材料今后的发展趋势。
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半导体器件的遗传算法优化设计
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半导体技术》2001年 第2期26卷 41-44页
作者:杨德利 刘百勇 龚雪皓 郑学仁 吴朝晖华南理工大学应用物理系广东广州510640 
以晶体管设计为例,将遗传算法应用在半导体器件设计领域从而替代传统的设计方法,即给出输入电学设计要求,便能在计算机模拟运算后输出满足要求的多组参数,从而为实现半导体器件的计算机辅助设计迈出一大步。
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改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法
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《电子学报》2002年 第2期30卷 184-186页
作者:谢晓锋 张文俊 杨之廉清华大学微电子学研究所北京100084 
本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进 .将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间 ,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间 .使其保持有效搜索到可行解的特性的同时 ,在同等的算法...
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半导体器件工作温度的光学干涉测量
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《华中理工大学学报》1997年 第6期25卷 27-29页
作者:李丽华 鲁强华中理工大学光电子工程系 
采用光学干涉测温原理测量微电子器件在线工作温度,设计了干涉测温系统,进行了实际测量实验,并与红外微像仪的测量结果进行了比较.
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基于小波变换和维纳滤波的半导体器件1/f噪声滤波
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《物理学报》2011年 第11期60卷 177-182页
作者:代煜 张建勋南开大学机器人与信息自动化研究所天津300071 
针对半导体器件中普遍存在的1/f噪声提出了一种结合了提升小波变换和维纳滤波器的处理方法.首先利用重新加权迭代最小二乘法拟合1/f噪声的功率谱曲线得到噪声参数的估计,从而选择恰当的小波.其次,对包含了1/f噪声的信号进行提升小波变换...
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半导体器件建模与优化系统
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《Journal of Semiconductors》2003年 第3期24卷 327-331页
作者:谢晓锋 鲁勇 李钊 阮骏 姚依 张文俊 杨之廉清华大学微电子学研究所北京100084 
随着器件尺寸的缩小 ,器件特性空间变得越来越复杂 .如果仍采用手工参数调整的方法 ,不仅需要有较好的器件物理知识 ,而且也不一定能得到合适的结果 .为节约设计时间 ,对半导体器件建模与优化系统 (MOSSED)进行了研究与实现 .该系统可...
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