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单晶炉低功耗勾形磁场设计与实现
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《人工晶体学报》2014年 第1期43卷 222-227页
作者:安涛 高勇西安理工大学西安710048 
单晶炉低功耗勾形磁场为研究对象,采用有限元法对主要结构参数进行了模拟分析与优化设计。并对磁场优化设计参数进行了实验验证。结果表明:磁场分布、磁场纵、横向分量强度,以及线圈电压、线圈电流、线圈功率等关键参数的实验结果均...
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单晶炉横向磁场的优化设计与实现
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《人工晶体学报》2009年 第1期38卷 259-264页
作者:安涛 高勇 刘飞航 顾林晴西安理工大学西安710048 
本文利用有限元法对152.4 mm(6 inch)单晶炉355.6 mm(14 inch)坩埚横向磁场的磁场强度、磁场分布和均匀度,以及线圈匝数、铁芯半径、导线截面积、磁极宽度和高度等影响因素进行了模拟分析和优化。在此基础上得到了磁场的优化参数,并对...
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单晶炉低功耗勾形磁场设计与优化
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《人工晶体学报》2012年 第4期41卷 1113-1118页
作者:安涛 高勇 张创西安理工大学西安710048 
本文提出了一种低功耗的新勾形磁场结构,来解决现有勾形磁场功耗过大的问题。并以8英寸单晶炉勾形磁场为研究对象,利用有限元法对线圈匝数、电流大小、线圈间距等参数对磁场强度及其分布的影响进行了模拟分析和优化设计。结果表明:在坩...
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单晶炉勾形磁场的优化设计与分析
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《人工晶体学报》2005年 第2期34卷 292-296页
作者:安涛 高勇 马剑平 李守智 李留臣西安理工大学西安710048 
本文采用有限元法对勾形磁场的分布进行了模拟分析,结果表明磁场强度径向分量Bx随径向距离r增大可视为线性增大,并且在线圈中心面上下20mm靠近坩埚内壁的窄小区域内最强。通过对磁场强度的影响因素的分析表明,磁场Bx随电流增大呈线性增...
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单晶炉勾形磁场装置结构参数的分析与优化
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《人工晶体学报》2008年 第3期37卷 577-582页
作者:高勇 李波 安涛 李守智 刘飞航西安理工大学电子工程学院西安710048 
采用有限元法对203.2mm单晶炉(406.4mm坩埚)勾形磁场线圈匝数和线圈纵横向层数(纵横向层数比值)以及上下两线圈间距、磁屏蔽体的厚度以及几何结构和尺寸等结构参数对磁场强度Br的影响进行了模拟分析和优化选取。为203.2mm单晶炉勾形磁...
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大尺寸单晶炉勾形磁场的优化设计
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《人工晶体学报》2010年 第4期39卷 1035-1040页
作者:焦尚彬 刘丁 任宁西安理工大学晶体生长设备与系统集成国家地方联合工程研究中心西安710048 
本文在分析cusp磁场抑制对流原理的基础上,采用有限元法对大尺寸单晶炉cusp磁场进行了建模。利用模型分析了磁场结构尺寸对磁场强度的影响,优化了磁场结构;分析了线圈规格对磁场功率的影响,优化了磁场功率;并通过实验验证了建模方法的...
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一种检测单晶炉热场温度的新方法
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《控制理论与应用》2014年 第10期31卷 1310-1317页
作者:张新雨 刘丁 汪姣 李琦西安理工大学自动化与信息工程学院陕西西安710048 
为去除单晶炉热场温度测量信号中的低频干扰、提高温度信号的估计精度,本文提出了一种基于跨维模拟退火(trans dimensional simulated annealing,TDSA)的单晶炉热场温度检测方法.该方法首先将AIC(Akaike information criterion)信号个...
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单晶炉真空元件结构设计与试验研究
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《机械设计》2021年 第8期38卷 61-71页
作者:高利强 张晓辉 李团结 郑勐 尚军西安理工大学工程训练中心陕西西安710048 西安电子科技大学机电工程学院陕西西安710071 
以提拉法单晶炉为研究对象,首先设计各种真空元件的密封结构,逐一给出结构设计的技术路线。静密封的密封件采用O形垫圈和矩形垫片,动密封的密封件采用唇形圈、O形圈和磁流体。指出不同结构之间的区别,介绍各自用途和使用场合。然后引入R...
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直拉单晶炉加热系统的优化设计与分析
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《人工晶体学报》2021年 第8期50卷 1541-1551页
作者:林光伟 王珊 张西亚 高俊伟 高德东青海大学机械工程学院西宁810016 阳光能源(青海)有限公司西宁810000 
降低单晶硅电池的生产成本,是提高光伏产业效益的关键。在等径拉晶过程中,采用分段加热可以减少加热器的输出功率,降低加热系统的能耗。本文在分析单晶硅拉晶过程中加热区域及能耗的基础上,提出细分加热器结构改进加热电路对单晶炉加热...
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提高单晶炉真空密闭性能的探讨
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《人工晶体学报》2003年 第5期32卷 528-533页
作者:许扬西安理工大学晶体生长设备研究所西安710048 
晶间腐蚀、应力腐蚀和缝隙腐蚀,是单晶炉室发生水渗漏的主要原因,因而是制造过程中材料选择、热加工工艺、机械设计与加工以及设备使用中要特别予以关注的问题。在至少380°以上温度进行热时效会强化材料的晶间敏化趋向,较合理的...
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