摘要：在0.35μm硅衬底CMOS工艺条件下,分析了集成平面电感器的单片DC/DC变换器的功率损耗,折中考虑了设计中的难点以及各种影响因素。优化了变换器的转换效率,确定其开关频率为100MHz;考虑片上集成平面电感器的单位面积电感值与品质因数的大小也是决定DC/DC变换器性能的关键因素,该文给出了双层平面螺旋电感器的物理设计与几何参数优化,获得了双层平面螺旋电感。模拟结果表明该变换器工作稳定,转换效率可以达到62%。

摘要：采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作。

摘要：本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测试结果与计算相符，性能达到：变频增益－２ｄＢ，，噪声系数７～８ｄＢ．

摘要：设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。

摘要：本文报告了采用硬件复用技术集成的波数字低通滤波器，其中所有的加、减法和乘法都在一个带超前进位链的ＡＬＵ单元上分时进行．采用全定制方式进行版图设计，并用３μｍＣＭＯＳ工艺（单层金属）进行流片，芯片面积为６．１２ｍｍ×５．２８ｍｍ，测试结果表明，该滤波器的通带纹波系数小于０．００００７ｄＢ，阻带衰减大于１１２ｄＢ．

摘要：本文是在深入研究单片晶体滤波器理论和等效电路的基础上,首次利用单片晶体滤波器的综合设计与网络分析相结合的方法将过去人工设计和反复试验的过程全部在计算机中实现。在设计程序中,为了避免解超越方程给出了半经验公式,并对一些系数进行了修正。在分析程序中,采用了模块技术和级联矩阵方法。本程序是在PC机汉字操作系统下用BASICA编写的。最后给出了用本程序设计制作的几种单片晶体滤波器。

摘要：本文用全波法——谱域技术分析了单片微波集成电路中的MIS共面带线的传播特性和特性阻抗,研究了MIS共面带线的结构参数对其特性的影响,得出了一些设计准则。由于至今还未见到分析MIS共面带线的报导,因此我们间接地验证了结果,即用同样的方法分析了MIS共面波导,所得结果与有关文献报导的一致。从而表明本文所用的分析方法以及分析结果是正确的。

摘要：引言在吸声构件中不使用纤维性材料或其他阻尼材料的努力，可追溯到Veliszhanina，S．N．，Rschevkin以及其他如中列举的学者。30年以前，马大猷教授首次提出了可使用于设计及计算的微穿孔吸声构造（MPA）的模型，并做出各种试件。这些成果至今仍然是多种应用的基础。12年来，德国弗劳恩霍夫建筑物理研究所（Fraunhofer Institut fiir Bauphysik）与8个以上工业企业一起合作开发了一系列MPA产品，广泛地应用于市场需要的各个方面。

摘要：本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.

摘要：本文通过单片微型计算机组成计数、计频仪的研制实例,系统分析了其硬件结构、软件设计。继而介绍了单片微型计算机应用系统的开发过程。