摘要：基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降压转换器可直接被0.7 V的高速脉冲信号控制,无需片外模块,其峰值功率级效率达到92.2%,峰值总效率达到84.24%,峰值功率为7.7 W。相较于前期工作,芯片工作范围从100 MHz提升至200 MHz,在保证芯片效率性能的情况下,实现了对工作频率的大幅提升。

摘要：为了简化用戶在使用莫托罗拉的MC14402 PCM(脉码调制)单片电路,特别是莫托罗拉单片电路评价板时的计算和评价,特编写了下面的使用指南与说明。给出了这种板子的电路图和印制电路图以及在用戶的印制板上设计单片电路的布局指南。为避免一些编译码器/滤波器计算的麻烦和困难,说明了模拟测试的多种考虑。

摘要：介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18μm CMOS标准工艺线上完成了制作，封装于CQFP48中。经测试，测频范围可达40～1500MHz，测频误差小于0．8MHz，功耗小于100mw。

摘要：基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。

摘要：采用0．15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26—40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器。该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构，并把螺旋型Marchand巴伦（平衡一不平衡变换器）用于本振端和射频端，将单端信号转换成差分信号，极大地缩小了芯片的面积，整块芯片面积为1．5mm×1．35mm。芯片在片测试结果表明混频器性能良好，变频损耗在26—40GHz射频频带范围内为-6．5-～13dB，中频带宽为DC～6GHz，镜像抑制度（IMRR）在18～26dB之间，本振到射频的隔离度大于23dB，本振到中频的隔离度大于29dB，射频到中频的隔离度大于26dB。

摘要：提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 .

摘要：介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的噪声系数。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。后期电路在中国电子科技集团公司第十三研究所砷化镓工艺线上加工完成。电路性能指标:在2～20 GHz工作频率范围内,小信号增益>13.5 dB;输入输出回波损耗13 dBm。放大器的工作电压5 V,功耗400 mW,芯片面积为3.00 mm×1.6 mm。

摘要：太赫兹倍频器是实现太赫兹源的重要途径之一。基于线性叠加技术,研制了0.38 THz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络级联的方式,设计了四路移相功分结构,通过零电长度合成,实现了单级四倍频,同时基波和其他无用谐波得到了很好的抑制。设计中先对无源结构进行三维电磁场仿真,然后与有源部分联合仿真优化,在370~410 GHz频率范围内,变频损耗小于25 d B。

摘要：There exist several difficulties in the design of monolithic high-shock three-axis accelerometer, such as high g overload, transverse overload and the cross coupling in three dimensions, etc. It is necessary to optimize the sensitivity to improve the performance of the accelerometer. For the monolithic high-shock three-axis accelerometer, the complexity of the sensitivity optimization is that it should consider not only the sensitivity difference between different axes but also the elimination of cross-coupling outputs, together with the natural frequency, structural integrity and high g overload. In this paper, the optimization process for decreasing the difference of the sensitivities between different axes of a monolithic high-shock three-axis piezoresistive accelerometer with single sensing element is established. The optimization is conducted in the condition of 100000 g acceleration by two methods-the method based on the optimization module of ANSYS and the ACO (ant colony optimization) method. The comparison between un-optimized and optimized models proves the efficiency of the optimization methods. In addition, the optimization results show that the ACO method combined with the FEA (finite element analysis) is much more efficient than the method based on the optimization module of ANSYS for the structural optimization problem. And the ACO method can be widely used in the optimization problem of the sensing elements with complicated structure.

摘要：针对传统无源四倍频器需要两级二倍频级联且变频损耗较大等问题,利用线性叠加技术,研制了40 GHz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络相级联的方式,设计了四路移相功分结构,实现了基波和其他无用谐波的抑制,简化了电路设计,降低了倍频损耗。根据设计仿真结果,完成了四倍频器的流片与测试工作。实测结果表明,在20 dBm的驱动功率下,最大输出功率为-2.7 dBm。