摘要：针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路工艺之间存在的兼容性问题。通过这种嵌入式CMOS工艺技术,可以实现具备最小体积、最低成本的MEMS器件。通过这种嵌入式热膜式传感器和CMOS处理电路的单片集成制造工艺,实现了一款热膜式传感器和IC放大电路的集成部件,并完成了相关基本电性能测试和传感器功能的演示验证,证明了设计的工艺路线的可行性。

摘要：基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两个独立放大器与开关控制电路集成,通过开关控制放大器的正反向导通,实现双向放大器接收和发射状态的切换。其中放大器采用的是宽带分布式低噪声放大器,开关控制电路的控制电平为0V和-5V。测试结果表明,该款放大器在＋5V工作电压下,工作电流为60mA,在2~20GHz的宽带频率内实现小信号增益大于14dB,1dB压缩点输出功率大于11dBm,噪声系数小于5.5dB。双向放大器的芯片尺寸为3.1mm×2.1mm。

摘要：EL6200C是Elantec公司生产的固态激光调制振荡器 ,应用于DVD驱动器、CD -ROM驱动器及MO驱动器 ,本文介绍了它的引脚排列、设计规范及应用。

摘要：对于数字视频终端设备,如DTV、DVD、数字机顶盒等,良好的PCB布局和接地处理、采用性能优良的开关电源、对时钟电路进行合理设计等都对噪声有一定的抑制作用。对于带外噪声,在输出端增加一级低通滤波器是极为有效的办法。

摘要：在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB。

摘要：为了实现可见光传输信号的接收,并尽可能减小接收机的体积,适应不同亮度下的传输,利用0.18μm CMOS工艺,自主设计光探测器、跨阻放大器、主放大器并集成于一片,形成单片集成的可变增益光接收机。经过软件模拟,激光入射测试以及实地的配合由可见光控制的智能家具系统的测试,证明该接收机拥有良好的接收效果并能适应可见光的低传输速率,且有较大的输入动态范围。

摘要：介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路，该电路基于电容一频率转化原理，并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响。使用Pspice对接口电路的误差特性进行了分析，并依据仿真结果确定了电路的相关参数。最后给出电路的测试结果，测试结果与仿真结果一致，在80～110kPa量程内，接口电路的分辨率为3．77Hz／hPa。

摘要：采用0.6μmCMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计,其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成,电感值可受直流偏置控制,占用面积小。仿真结果表明,该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-1GHz,600MHz频率处电感的Q值达到26,等效电感值为400nH。

摘要：介绍了一种基于在系统可编程模拟芯片ispPAC20的单片集成压控振荡器的设计方法,具有开发速度快、可靠性高、灵活性高等优点。给出了实验分析和单端输入接口电路的设计方法。

摘要：开关电容ＤＣＤＣ变换器的输出功率受电容网络中电容取值及开关频率的限制，电容器的集成是开关电容ＤＣＤＣ变换器集成的关键。提出一种并联单元电路的方法，获得了较大的输出功率，并避免了大面积电容的集成。它为其他类型的开关电容变换器的单片集成问题的研究提供了一个基本思路。