摘要：设计了一种基于纳米光栅泰伯效应的三轴微光机电系统(MOEMS)陀螺,详细阐述了纳米光栅三轴MOEMS陀螺的工作原理,建立了陀螺结构模型并分析其灵敏度。仿真结果表明:x,y,z轴陀螺结构灵敏度分别为42.76,43.63,76.79 nm/((°)·s^(-1))。对双层光栅的衍射灵敏度仿真分析,得到双层光栅面内与离面模式下的衍射灵敏度分别为297.1,159.7 V/mm。最后,结合结构灵敏度与衍射灵敏度得到x,y,z轴陀螺的灵敏度大小分别为6.83,6.97,22.81 mV/((°)·s^(-1))。

摘要：设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路 ,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器 .它采用0 6μmCMOS工艺 ,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi project wafer)进行流水 .其中光电探测器的工作波长为 850nm ,响应度为 0 2A/W ,接收灵敏度为 - 1 6dBm ,带宽为 80 0MHz ,因此适用于VSR(very short reach)系统 .前置放大器采用电流模反馈放大器 ,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平 .通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟 ,分析了电路的限制因素 ,并提出了相应的改进方法 .

摘要：采用MEMS技术和体硅工艺相结合的方法，开发一种单片集成的高g值三轴加速度传感器，为提高高g值加速度传感器的小型化、高性能、高可靠性等提供合适的实现方法。其中X、Y方向采用悬臂梁式结构，Z方向采用梁膜结合的结构，利用ANSYS软件分别对结构进行模态分析三单元结构的一阶模态与二阶模态相差较多，满足高g值加速度传感器的应用要求。

摘要：激光光纤供能技术因其安全性和可靠性特别适合应用于电网监测设备的供电中。电网监测对激光光纤供能提出了瓦级功率需求,作为核心组件,具有高光电转换效率的激光光伏转换器(LPS)对供能系统的长期可靠运行至关重要。基于砷化镓(GaAs)的单PN结光伏转换器可在较低输出功率下获得很好的光电转换效率,但由于开路电压低,增加电流和输出功率会带来高电阻损耗,导致转换效率降低。因此研究了基于单片集成垂直串联多个PN结子电池以提高开路电压和输出功率的方法,并对研制的多结光伏转换器进行了表征测试。测试结果表明,五结光伏转换器的开路电压接近6 V,能以大于54%的转换效率输出5 W功率,且能在较大输出功率范围(约1 W~8 W)保持50%以上转换效率。具体应用中,可根据监测设备的负载功耗和工作条件做进一步优化设计。

摘要：提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流。误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得设计的LDO为两级放大器结构,有利于简化补偿网络。所设计的LDO在低频时电源抑制比(PSR)为-69 dB,在1MHz处的电源抑制比为-19 dB。采用0.35μm工艺流片,测试结果表明,该LDO可以为负载提供70 mA的电流。

摘要：针对应用于DVD光学头的关键部件PDIC,设计了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的硅基PDIC。芯片采用CSMC的0.5μmBCD工艺,集成了p-i-n探测器与前置放大电路。重点介绍了p-i-n光电探测器及前置放大电路的设计思想。仿真结果表明,用于光电检测的p-i-n光电探测器在650 nm光照下响应度达0.2 A/W,互阻放大器的-3 dB带宽达到94 MHz,跨阻增益达150 kΩ。可以满足DVD系统的性能要求。

摘要：通过提出一种光栅光调制器的有源矩阵的驱动方式,分析了有源矩阵光栅光调制器的工作机理和关键指标参数。并且分析指出增大有源矩阵的存储电容值,可以减小由电荷重新分布造成存储电压的降低。有源矩阵的晶体管宽长比和存储电容,影响有源矩阵的保持电压特性和开关速度。结合实际的工艺设计包,利用Cadence软件设计了有源矩阵的版图。设计了有源矩阵与光栅光调制器的单片集成的工艺流程。通过仿真和实验验证了理论分析的正确性,且仿真结果与实验结果基本一致,表明:有源矩阵光栅光调制器可以满足分辨率为1920×1080,帧频30Hz,256级灰度的显示要求。

摘要：基于标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流程,设计了p+/N-well和n+/p-sub两类结构的太阳能电池单元,通过分析影响电池性能参数的主要因素,设计、制备出4种不同单元尺寸的电池结构。测试结果表明,在标准测试条件下,面积50μm×50μm的单元结构具有最优的性能参数,其开路电压和短路电流分别为0.49V和76.61μA/mm2,最大输出功率达29.44μW/mm2,光电转换效率为2.94%。基于优化的器件结构,将两类不同结构的电池单元串联实现了高压输出的太阳能电池,电池的输出电压为0.95V,短路电流和最大输出功率分别为13μA/mm2和10.5μW/mm2。

摘要：国内新闻中科院微电子所在新型垂直互补场效应晶体管(CFET)结构设计与仿真研究方面取得进展近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心殷华湘/吴振华研究团队利用业界主流的设计工艺协同优化(DTCO)方法全面探索了互补场效应晶体管(CFET)的器件架构优势。据中科院微电子所介绍,CFET结构是对新一代先进工艺节点全环绕栅极(GAA)晶体管的进一步改进,将不同导电沟道类型(N-FET和P-FET)的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成,从而突破了传统N/P-FET共平面布局间距的尺寸限制.

摘要：电阻抗成像(EIT)作为一种功能医学影像技术,可以反映组织功能的变化。在已有研究的基础上,开发一种体积小、功耗低、高速、频带宽、具有扫频和混频2种激励方式的电阻抗成像系统,应用于人体胸腹部疾病的早期筛查。该系统采用8×8电极阵列,用高性能FPGA为核心,使得激励源控制、数字频率合成、信号预处理、高速相敏检波、快速傅里叶变换解调测量信号等功能集成在单一的芯片中,减小了系统的复杂性,提高了可靠性和可移植性。在图像重构中,使用可靠性较高的正则化算法抑制电阻抗成像逆问题解的振荡,从而重建过程趋于稳定,提高了目标空间分辨率和成像深度。