摘要：单电子晶体管是一种新型量子器件 ,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管 .这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应 .但是 ,描述单电子晶体管I V特性的正统理论却是一种唯象理论 ,对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果 ,不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方法 .文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发 ,推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式 .在此基础上 ,研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法 .计算结果与实验结果符合较好 ,可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I V特性的影响 .

摘要：从脉冲神经元脉冲收发的需求出发,研究发现电流脉冲与单电子晶体管的库伦震荡之间的相似性,利用这种相似性提出基于单电子晶体管的脉冲神经元模型,设计出单电子电路模型并用PSPICE进行模拟仿真.仿真结果表明,该脉冲神经元模型能满足Izhikevich脉冲神经元模型规则脉冲的要求,实现电流脉冲的输入输出,具有脉冲编码的能力.

摘要：基于单电子晶体管的主方程算法,在简化Lientschnig的单电子晶体管模型基础上,建立了基于Verilog-A的单电子晶体管行为描述模型,并利用Cadence Spectre仿真器对该模型进行了验证.通过单电子晶体管逻辑电路的设计和仿真,表明该模型具有合理的精确度,且速度快,为单电子晶体管电路及混合电路的仿真提供了一种有效的方法.

摘要：研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SET I-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的简化分析方法同样适用于 SET在其它模拟和逻辑电路中的应用。

摘要：文章在研究单电子晶体管(SingleElectronTransistor,SET)I-V特性的基础上,阐明了一种简化分析方法,并据此设计了一个SET积分器,说明了SET积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明:该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述SETI-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。这种简化分析方法同样适用于SET在其它功能电路中的应用。

摘要：基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P-SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。

摘要：基于互补型单电子晶体管(SET)逻辑门,提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。在讨论数字滤波器硬件实现原理基础上,由这三个单元电路实现了一个二阶IIR滤波器。SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性。

摘要：在一定的边界条件近似下,通过联立求解泊松和薛定谔方程,利用电荷控制模型对赝型高电子迁移率器件( p-HEMT)进行了模拟,分析了器件中二维电子气的面密度ns、d面掺杂层距离表面层厚度d1和距离二维电子气厚度d2对器件特性的影响,并讨论了这些结构参数的优化,为制备高温、稳定和有应用前景的单电子晶体管器件提供了依据。

摘要：基于单电子晶体管的I-V特性,运用CMOS动态电路的设计思想,提出了一种基于单电子晶体管的全加器动态电路,利用SPICE对设计的电路进行了仿真验证,分析了电荷分享问题。相对于静态互补逻辑电路的设计方法,基于单电子晶体管的动态逻辑电路不仅克服了单电子晶体管固有的电压增益低的缺点,而且器件数目也大幅减少。多栅SET的使用可以减少电荷分享问题对动态电路的影响。

摘要：研究了单电子晶体管的特性,文章提出一种基于单电子晶体管阵列的传输特性实现CNN方法,设计构成CNN。仿真结果表明,所设计的硬件电路具有结构简单、功耗低、频率特性好,将其应用于图像处理具有一定的灵活性和通用性。