摘要：在研究单电子晶体管(singleelectrontransistor)SETI—V特性的基础上,提出了一种分区处理法,据此设计了一个SET二阶带通滤波器,并说明了该滤波器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明,该滤波器的传输特性与采用其它2种方法描述SETI—V特性所构成的滤波器传输特性有着良好的一致性。所提出的分区处理法同样适用于SET在其它功能电路中的应用。

摘要：提出了一种应用PSpice仿真SET的方法,该方法通过所设计的宏模型可实现SET的基本特性仿真。仿真结果表明,所设计的宏模型具有合理的精确度。

摘要：利用单电子晶体管和互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的混合结构所具有的负微分电阻特性实现了细胞神经网络(CNN),设计构成了CNN的细胞体电路、A模板电路和B模板电路,并将构成的CNN用于图像处理应用研究中.仿真结果表明,所设计的硬件电路具有结构简单、功耗低、响应速度快等特点,可用于构成各种规模的CNN,进一步提高集成电路的集成度.

摘要：设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 .器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管 ,其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 .两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有三个稳定的存储状态 .利用这个原理可以制备出多值的动态随机存储器和非挥发性的随机存储器 .这种低功耗的单电子多值存储器可以实现信息的超高密度存储 .

摘要：基于细胞神经网络结构,利用具有负微分电阻特性的单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件SETMOS实现了多涡卷蔡氏电路.对该电路系统的基本动力学特性(如相图、分岔图、Lyapunov指数、Poincaré映射和功率谱)进行了理论分析和数值仿真,并利用电路仿真实验验证了该三阶四涡卷蔡氏电路设计的正确性和可行性.研究结果表明,SETMOS的负微分电阻特性决定着多涡卷蔡氏电路的复杂动力学行为,而且所设计的电路结构简单易行.

摘要：基于细胞神经网络(CNN)细胞单元的等效电路及其电学特性模型,利用SET-MOS混合结构反相器实现了模型中的激活函数电路,用耦合电容单元实现CNN细胞的系统模板,构建了SET-MOSCNN细胞硬件电路,并将其应用在图像处理中.仿真结果表明,所设计的CNN硬件电路具有结构简单、功耗低、响应速度快等特点,可用于构成各种规模的CNN电路,进一步满足大规模信号处理的需求及提高集成电路的集成度.

摘要：利用拟合法简化了单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件SETMOS的负微分电阻特性方程,提出了由SETMOS设计多涡卷混沌电路的方法.理论上定性和定量地分析了负微分电阻特性对于多涡卷蔡氏电路平衡点的影响.经研究发现,多涡卷蔡氏电路混沌在非线性函数的各负斜率区中形成径向收缩、轴向拉伸的单向运动,而在各正斜率区中形成径向拉伸、轴向收缩的涡卷运动.这为进一步实现多涡卷电路及研究其复杂动力学行为提供了理论基础.

摘要：与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的三变量UTLG实现方案.利用一个UTLG辅之少量门电路就可实现全部256个三变量逻辑函数.通过实例说明了利用查表设计进行UTLG综合的过程.对所设计的SET电路进行了Pspice仿真,结果表明,基于SET的UTLG以及用UTLG实现的全比较器均具有正确的逻辑功能.

摘要：在分析了单电子晶体管(SET)的I-V特性后,通过对SET背景电荷的设置,使之具有类似PMOS或NMOS的电学特性;同时将传输电压开关理论引入到SET的电路设计中,并用单栅极SET实现了该理论的基本运算电路.随后以异或门和一位比较器为例,利用这些基本运算电路,进行了基于SET的开关级电路设计.最后,利用Pspice软件验证了所设计的电路逻辑功能正确,设计方法可行;电路的输入输出高低电平一致,具有良好的电压兼容性,易于级联.仿真结果表明,与基于互补结构设计的SET电路相比,基于开关级设计的SET电路具有结构简单、功耗低、延迟小的特点.

摘要：单电子晶体管具有功耗超低、集成度超高以及与传统的CMOS电路相兼容等优点,是制造新一代集成电路最具竞争力的纳米器件之一。基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2与传统的逻辑门相比,优势尤为明显。在介绍逻辑门ULG.2原理的基础上,提出了基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2的电路优化设计,利用ULG.2设计了全比较器和全加/减器,并对电路进行PSpice仿真。结果表明:基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2及其应用电路结构简单,具有晶体管数少,电路功耗和延迟小的特征。