摘要：由于Trench结构在降低元胞单元尺寸、提升沟道密度和消除JFET区电阻等方面的优势,Trench型MOSFET已广泛应用于低压产品领域。在研究抗辐射机理和抗辐射加固技术的基础上,设计了一款新型抗辐射Trench型N30VMOSFET器件。实验结果显示,产品击穿电压典型值达42V,特征导通电阻为51mΩ·mm^(2)。在^(60)Co γ射线100krad(Si)条件下,器件阈值电压漂移仅为-0.3V,漏源漏电流从34nA仅上升到60nA。采用能量为2006MeV、硅中射程为116μm、线性能量传输(LET)值为75.4MeV·cm^(2)/mg的^(118)Ta离子垂直入射该器件,未发生单粒子事件。

摘要：针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件抗单粒子辐射性能低的问题,开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究,采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件。利用TCAD软件对重掺杂P+well及漏区缓冲层结构的加固机理进行仿真分析,并对回片器件利用Ta离子(线性能量转移,LET=79.2 MeV·cm^(2)/mg)进行辐照试验验证,结果表明,提高Pwell掺杂浓度和采用缓冲层结构可将高压LDMOS器件抗单粒子烧毁电压提升至60 V。