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检索条件"主题词=压接型"

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压接型IGBT均流设计: 收藏
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引用; 《中国电力》2019年第9期52卷 20-29页; 作者：刘国友窦泽春罗海辉覃荣震王彦刚新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 中车株洲电力机车研究所有限公司湖南株洲412001; 针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件...; 针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。; 来源：详细信息评论

压接型IGBT器件绝缘研究：问题与方法: 收藏
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引用; 《电力电子技术》2018年第8期52卷 38-40,62页; 作者：付鹏宇赵志斌崔翔新能源电力系统国家重点实验室华北电力大学北京102206; 按绝缘失效模式,将压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的绝缘问题分为漏电和放电问题。借鉴电力电子学科研究范式,提出从绝缘测试、物理分析和可靠设计3个维度进行压接型IGBT器件绝缘研究的方法。同时,分别从这3个维度对压接型IGBT器件绝...; 按绝缘失效模式,将压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的绝缘问题分为漏电和放电问题。借鉴电力电子学科研究范式,提出从绝缘测试、物理分析和可靠设计3个维度进行压接型IGBT器件绝缘研究的方法。同时,分别从这3个维度对压接型IGBT器件绝缘研究现状进行分析。最后,根据绝缘测试要求和物理分析参数,给出压接型IGBT器件绝缘优值,为压接型IGBT器件绝缘可靠设计提供了量化指标。; 来源：详细信息评论

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