摘要：基于联华电子公司40 nm标准CMOS工艺全定制设计两个具有相同形状、宽度和间距,但长度不相等的U型电感.所设计的两个电感在VCO中构成两个LC谐振器.除了在谐振器中采用不同的电感外,两个VCO具有相同的元件尺寸、偏压电流、电源和布局方式.仿真与测试结果表明,实现的LC-VCO电路具有良好的功耗和相位噪声特性.通过对两个VCO电路振荡频率的比较,可获得全定制电感的实测值与仿真值之间相差大约10%.该结果可为相同工艺设计电感和振荡器提供指导.

摘要：设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化。设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和调谐宽度均达到了较高的性能指标。结果表明,在1.2 V工作电压下,设计的VCO的尾电流为3 mA,输出振荡频率为2.24~2.57 GHz,中心频率约为2.4 GHz,调谐范围达到13.7%。

摘要：设计了一种基于基片集成波导谐振器的X波段压控振荡器。首先分析了串联反馈式振荡器以及基片集成波导谐振器的理论,然后在高频电磁仿真软件ADS中进行仿真和设计,并通过将变容管合理地引入谐振器,实现了电调谐的目的。最终设计完成了一个工作于X波段的基片集成波导压控振荡器。此压控振荡器与传统的介质压控振荡器(DRO)相比,具有稳定性高、平面化以及成本低的优点。由于采用了ADS中的联合仿真功能进行振荡器的设计,仿真结果的准确性得到了提高,减小了实物的调试工作量。测试结果为:工作频率为7 GHz,调谐范围为30 MHz,输出功率≥7 dBm,谐波抑制度≥22 dBc,相位噪声优于-106 dBc/Hz@100 kHz。

摘要：采用集总元件变容二极管和超高频三极管设计900MHz压控振荡器,根据ADS2006A软件仿真确定了压控振荡器的电路参数,并对相关指标如相位噪声、调谐带宽、稳定系数、输出功率和谐波电平等进行了仿真,通过调整电路参数,优化电路结构,实现了工作频率为1GHz、调谐带宽为90 MHz的压控振荡器,其相位噪声在偏移中心频率10kHz处为-105dBc/Hz,在100kHz处为-120dBc/Hz,该设计大大降低了系统成本。

摘要：本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,

摘要：为了满足WLAN接收机前端要求,设计了一种基于IEEE 802.11 a/b/g协议的RF零中频接收机第一本振3.846GHz压控振荡器.该振荡器采用TSMC0.25μm RFCMOS工艺实现,利用Hajimiri相位噪声模型对结构进行了优化,具有低相位噪声的特性.通过Cadence Spectre仿真,结果表明文中设计的3.846GHz压控振荡器功耗为10mW,1MHz和3MHz载频处的相位噪声分别为-120dBc/Hz和-131dBc/Hz,调谐电压Vtune在0~2.5V之间变化时,频率可调范围为600MHz,其性能完全符合IEEE 802.1l a/b/g协议的要求.

摘要：介绍了一种全集成的LC压控振荡器(VCO)的设计。该电路的中心频率为3.8 GHz,电源电压为1.8 V,采用0.18μm CMOS工艺制作。测试结果表明,VCO的相位噪声在偏离中心频率1 MHz时达到-126 dBc/Hz,调谐范围达到9%,VCO核心电路功耗小于8 mW。

摘要：在分析压控振荡器相位噪声的基础上,通过采用尾电流整形滤波技术设计了一种低相位噪声低功耗差分LC压控振荡器。电路设计采用TSMC 0.18um 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence软件中的SpectreRF工具对电路进行了仿真,结果显示,在电源电压VDD=1.8V时,其中心频率为1.8GHz,频率的变化范围为1.43~1.82GHz,相位噪声为-121dBc/Hz@600kHz。静态功耗仅为2.5mW(1.8V×1.39mA)。

摘要：设计了一种具有上电启动功能的差分环形压控振荡器(VCO),该电路可作为时钟产生模块应用于SoC中的高速锁相环(PLL)。该VCO采用全差分延迟结构,可更好地抑制来自电源的共模噪声。增加了使控制电压变化可控的上电启动电路,便于控制PLL中环路开启次序,缩短PLL锁定时间,为延迟单元提供适当的初始偏置和起振条件。基于GF 28 nm标准CMOS工艺进行电路设计、仿真和版图设计。仿真结果表明,该VCO具有良好的起振可靠性和稳定性,输出频率调谐范围为0.65~3.9 GHz。在1 V电源电压、1.625 GHz中心频率时,相位噪声为-80.44 dBc/Hz@1 MHz,功耗为6.6 mW。应用该VCO的PLL的测试结果表明,锁定时间为1.6μs,频率调谐范围和锁定时间均优于对比文献。

摘要：分析了LC压控振荡器（VCO）相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器。采用TSMC 0.18μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真。在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8-1.8 V,输出频率变化为1.29-1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW。