摘要：设计并制作了基于硅基的射频微机械压控电容。该电容采用三对极板的传动结构,当两侧控制极板受到静电力驱动时,位于中部的电容极板将得到更大的位移。能量分析和软件模拟表明,该结构有助于提高压控电容的变化比例。测量表明,该电容品质因数为17@2GHz,并具有较大的电容变化比例(大于50%)。该电容工艺简单,实现温度较低(小于350℃),具有与CMOS工艺集成的可行性。

摘要：采用静电场力作用下二维三阶段微梁的静力分析模型,分析了影响两侧下拉电极MEMS压控电容可控范围的因素,这些因素包括:驱动电极的位置、电容极板的初始间隙、电容极板长度、介质层的厚度、介质的介电常数等,通过分析可以了解各因素对MEMS压控电容性能的影响以及这些因素之间的一些相互制约关系。分析结果可望能为两侧下拉电极MEMS压控电容的设计提供一些理论指导。